Epi使用METRION内联SIMS锗硅应用程序系统


外延过程的沉积在半导体制造技术,因为它支持的能力达到更高的掺杂浓度比通过离子注入可以获得。当我们迈向< 5纳米技术,使gate-all-around场效应晶体管的一个关键过程(GAAFET)是堆叠multi-lattice硅(Si)和硅锗(锗硅)epi过程……»阅读更多

评估的影响源漏epi实现逻辑性能使用过程和电路仿真相结合


在本文中,我们探索使用SEMulator3D解决一个端到端的解决方案需要包括在电路模拟过程变化影响。第一次,我们夫妇SEMulator3D BSIM紧凑型建模评估流程变化对电路性能的影响。这项研究是优化的流程集成目标接触和垫片厚度advanced-node FinFETs怪兽…»阅读更多

为硅片市场好转了


在2019年经济衰退后,硅片市场预计将在2020年反弹。2021年为硅片看起来更好。硅片是半导体业务的一个基本组成部分。每个芯片制造商都需要买一个大小或另一个。硅片厂商生产和销售光或原始硅晶圆芯片制造商,他们反过来过程成芯片。硅晶片马……»阅读更多

流动性得到了提高与扩大Epi应用程序


杰里米Zelenko即使行业进入的时代高k金属栅(HKMG)和FinFET晶体管,芯片制造商继续寻找方法来提高设备的性能。的最新进展和应用材料的主题今天宣布扩大外延沉积于PMOS对NMOS晶体管。实施一个NMOS外延(epi)过程除了国研…»阅读更多

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