低k间隔层厚度变化的影响，选择间隔层厚度和S/D epi形状的最佳组合，以提高速度和功率性能。
在本文中，我们探索了使用SEMulator3D的端到端解决方案，以解决在电路仿真中包括工艺变化影响的需求。我们首次将SEMulator3D与BSIM紧凑建模相结合，以评估工艺变化对电路性能的影响。本研究的工艺集成目标是在速度和功率性能方面优化高级节点finfet的触点和间隔厚度。为此，我们比较了三种具有不同间隔隐窝水平和外延形状生长剖面的结构。我们研究了低k间隔层厚度变化的影响，以选择间隔层厚度和S/D epi形状的最佳组合，以提高速度和功率性能。
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