Epi SiGe应用程序使用METRION在线模拟系统


外延工艺是半导体制造中一种成熟的沉积技术,因为它能够获得比通过离子注入获得的更高的掺杂浓度。当我们向<5nm技术发展时,实现栅极全能FET (GAAFET)的关键工艺是硅(Si)和硅锗(SiGe) epi工艺的堆叠多晶格…»阅读更多

离子注入在在线SIMS测量中的应用


作者:Wei Ti Lee, Sarah Okada, Lawrence Rooney, Feng Zhang, Benjamin Hickey在半导体行业,离子注入过程已经扩展到广泛的应用领域,其剂量和能量跨越了几个数量级。离子注入是一个非常复杂的过程,有许多参数和因素会影响离子注入的性能。例如,阴影效果从高…»阅读更多

Baidu