揭秘CXL记忆;物理设计的宏观布局;3-gated可重构场效应晶体管;ALD硅晶圆键之外;自适应与ReRAMs HW neurocomputing;SiC &量子纳米光子HW;秘密渠道和生产;可伸缩的退化为二维半导体。
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| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| 揭秘CXL与真正的CXL-Ready系统和记忆设备 | 伊利诺伊大学香槟分校(伊利诺斯)和英特尔实验室 |
| AutoDMP:自动DREAMPlace-based宏观布局 | 英伟达 |
| 大面积合成高电气性能二硫化钼的商业可伸缩原子层沉积过程 | 南安普顿大学、慕尼黑LMU和芬兰的VTT技术研究中心 |
| 洞察的温度依赖交换行为Three-Gated可重构场效应晶体管 | NaMLAB和TU德累斯顿 |
| 利用光子带隙在三角碳化硅结构效率量子纳米光子硬件 | 加州大学戴维斯分校 |
| 室温键使用原子层沉积氧化铝薄膜的沉积 | 九州大学 |
| 自适应硬件与电阻切换突触经验neurocomputing | 英飞凌科技,米兰理工大学和IUNET Weebit Nano,东航Leti |
| CPU在FPGA-SoCs FPGA权力秘密通道 | 你慕尼黑和弗劳恩霍夫研究所AISEC |
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