标签:NaMLab

芯片产业的技术论文摘要:4月4
通过琳达·克里斯坦森- 04年4月,2023 -评论:0

新技术论文最近添加到半导体工程图书馆:[表id = 90 /]如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合我们的全球观众。至少,论文需要研究和记录,与半导体相关的生态系统,和自由市场的偏见。为我们没有成本p…»阅读更多

Three-Gated可重构场效应晶体管的特性
通过技术论文链接- 03年4月,2023 -评论:0

新技术论文题为“洞察温度依赖Three-Gated可重构场效应晶体管的开关行为”被研究人员发表NaMLAB和TU德累斯顿。“在这个工作,可以评估Three-Gated可重构场效应晶体管的性能在一个相当大的温度跨度最后提供重要的见解啊……»阅读更多

可能为负电容场效应晶体管使用窄
通过凯瑟琳德比郡- 20,2019 -评论:1

发现铁电相的二氧化铪(HfO2)引发了重大利益的机会与传统CMOS集成铁电晶体管和记忆的设备。示威活动的“负电容”行为特别是表明这些设备可能逃避60 mV /十年限制阈下的秋千,从而提高晶体管效率。…»阅读更多

内存初创公司看
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:0

下一代的记忆终于加大经过多年的延误和承诺。英特尔,航运是3 d XPoint,新一代技术基于相变内存。此外,大型铸造厂嵌入式MRAM准备。当然,还有许多其他球员在下一代存储领域。还有许多的创业公司飞行联合国…»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

制造业:8月8日
通过马克LaPedus- 08年8月,2017 -评论:0

铁电薄膜铁电随机存取存储器(弗拉姆号)是创建一个热点。多年来,弗拉姆号已经发货了嵌入式应用程序,虽然MRAM技术采取了后座,相变和ReRAM。使用铁电电容器存储数据,弗拉姆号是一个非易失存储器,无限的耐力。弗拉姆号比eepm和flash快。弗拉姆号执行一个盖功能…»阅读更多

FeFETs是什么?
通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:1

内存市场会在几个不同的方向。在一个方面,传统的内存类型,这样的DRAM和闪存,仍然是主力技术系统尽管在商业经历一些变化。然后,一些供应商准备下一代记忆类型的市场。进行的一个系列,半导体工程将探索新…»阅读更多

新的嵌入式记忆之前
通过马克LaPedus1月25日,2017 -评论:0

嵌入式内存市场开始升温,推动了新一波的微控制器(mcu)和相关的芯片可能会需要新的、更有能力的非易失性内存类型。这个行业正在从几个不同的方面在嵌入式内存景观。在一个方面,传统的解决方案推进。在另一个方面,一些供应商定位next-generatio……»阅读更多

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