文摘:
“RRAM饱受贫穷与短期记忆保留时间当使用低合规当前编程。然而,短期记忆的时间展示理想的随机性,可以利用作为身体的熵源unclonable函数(PUF)。在这项工作中,我们展示了小说PUF利用随机氧化物RRAM短期记忆的时光。拟议的PUF上实现一个256 kb的高频振荡器2 /我们x双层RRAM测试芯片在0.13μm逻辑过程。的RRAM PUF能够再生> 10后的20倍(电子邮件保护)°C和比特误码率(BER)仍然是<;0.08%在温度高达115°C的读取电压0.1 - -0.7 v,表现出强烈的对环境变化的弹性。inter-chip平均汉明距离(HD)是0.4999和平均intra-chip HD 0.0009。能源效率是0.19 pJ /。”
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杨j . et al .,“小说PUF使用随机短期记忆时间的氧化物RRAM嵌入式应用程序,”2020年IEEE国际电子设备会议(IEDM), 2020年,页39.2.1-39.2.4,doi: 10.1109 / IEDM13553.2020.9372050。
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