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技术论文综述:7月5日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=36 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文,我们会审查它们,看看它们是否适合……»阅读更多

多电极多功能多栅单晶体管(MGT)设计的单晶体管存储器过程器件策略


来自宁波材料技术与工程研究所(中国科学院)、材料科学与光电子工程中心(中国科学院大学)、上海微系统研究所的研究人员的新技术论文“具有代工加工和减少占地面积的多功能多门单晶体管存储器电子过程”。»阅读更多

使puf更加安全


由于安全性已成为大多数系统的必备条件,硬件信任根(hrot)已开始出现在许多芯片中。对于HRoT来说,验证和创建密钥的能力至关重要——理想情况下,从一个不可查看和不可变的可靠来源创建密钥。“我们看到信任的硬件根源部署在两种使用模型中——提供安全启动系统的基础,以及支持安全启动系统。»阅读更多

采用2D半导体的更薄通道


迁移到未来的节点需要的不仅仅是更小的特性。在3/2nm及更远的工艺上,可能会添加新材料,但具体是哪种新材料,以及何时加入,将取决于全球大学和公司正在进行的材料科学研究的爆发。用场效应晶体管,施加在栅极上的电压在通道中产生电场,使禁带弯曲。»阅读更多

一种基于随机短期记忆时间的基于氧化物的RRAM嵌入式应用的新型PUF


摘要:“当使用低顺应性电流进行编程时,RRAM的短期记忆时间保持性较差。然而,短期记忆时间表现出理想的随机性,这可以作为物理不可克隆函数(PUF)的熵源。在这项工作中,我们展示了一种利用基于氧化物的RRAM的随机短期记忆时间的新型PUF。提议的P…»阅读更多

一种具有8层堆叠垂直RRAM和0.014%误码率的抗机器学习3D PUF,用于物联网安全应用


摘要:“在这项工作中,我们提出并演示了一种具有单元内稳定方案的多层三维垂直RRAM (VRRAM) PUF,以提高成本效率和可靠性。研制了具有良好均匀性和>10 7耐久性能的8层VRRAM阵列。除了RRAM电阻的变化外,由于寄生IR,获得了增强的随机性…»阅读更多

电源/性能位:2月8日


大阪大学的研究人员利用银纳米线网络制造了一种轻薄、灵活、透明的传感器。高分辨率打印技术用于制造厘米级交叉排列的银纳米线阵列,具有20至250微米的可重复特征尺寸。作为功能性的概念证明,他们使用他们的阵列来检测电生理信号……»阅读更多

功率/性能位:12月3日


加州大学圣地亚哥分校的研究人员开发了一种超低功耗唤醒接收器芯片,旨在降低传感器、可穿戴设备和物联网设备的功耗,这些设备只需要定期通信信息。“现在的问题是,这些设备不知道确切的时间与网络同步,所以它们会定期在晚上醒来……»阅读更多

电源/性能位:9月19日


来自剑桥大学、麻省理工学院、牛津大学、巴斯大学和代尔夫特理工大学的一个团队发现了一种治愈钙钛矿太阳能电池缺陷的方法,方法是将它们暴露在光线和适当的湿度下。虽然钙钛矿显示出低成本、高效光伏的前景,但晶体结构中的微小缺陷(称为陷阱)……»阅读更多

电源/性能位:11月1日


根据美国国家资源保护委员会(National Resource Defense Council)的数据,美国人每年在电力成本上浪费高达190亿美元,因为家里的数字设备即使关闭也会消耗电量。考虑到这一点,犹他大学的一个团队设计了一种新的电子电路开关,使用固体电解质,如硫化铜来…»阅读更多

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