新技术论文题为“多功能multi-gate有关晶体管process-in-memory电子铸造处理和减少碳足迹”从宁波材料技术与工程研究所的研究员(中国科学院),材料科学与光电中心工程(中国科学院大学)、上海微系统与信息技术研究所(中国科学院),澳大利亚新南威尔士大学和复旦大学。
文摘:
“逻辑门”是集成电路的基本元件,和涉及多个逻辑门的集成策略和先进材料也已经被开发出来,以满足高密度集成电路的开发需求。然而,这些策略还不能广泛适用的由于他们的不相容与现代硅铸造线。在这里,我们提出一个silicon-foundry-line-based multi-gate有关晶体管设计简化了传统multi-transistor逻辑门到盖茨有关晶体管,从而减少电路排放量至少40%。更重要的是,该配置可以同时提供multi-functionalities逻辑门,内存和人工神经突触。特别是,我们的设计可以在三维空间中模拟人工神经突触同时被标准绝缘体过程实现技术。foundry-line-compatible有关晶体管设计有很大潜力直接和广泛应用在新一代多功能电子产品。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年6月出版。
戴,M。、歌曲、Z。林,CH. et al .多功能multi-gate有关晶体管process-in-memory电子与铸造加工和减少排放量。Commun板牙3,41 (2022)。https://doi.org/10.1038/s43246 - 022 - 00261 - 3。
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