技术论文题为“x射线:发现DRAM内部结构和误差特性通过发行记忆命令”由首尔国立大学的研究人员发表和伊利诺伊大学香槟分校。
“准确的需求信息的内部结构和特性动态随机存取记忆体(DRAM)一直在上升。最近的研究探索DRAM的结构和特点来提高在内存中处理,提高可靠性,降低脆弱性称为rowhammer。然而,DRAM制造商只能通过官方文件披露信息有限,很难找到实际DRAM设备的具体信息。
提出了可靠的发现在DRAM的内部结构和特性使用activate-induced bitflips (aib),保留时间测试和row-copy操作。虽然先前的研究试图理解的内部行为DRAM设备,他们只有显示结果不确定原因和分析了DRAM模块而不是单独的芯片。我们第一次发现大小、结构和操作的DRAM子阵和验证我们的发现在DRAM的特点。然后,我们正确的误解有关爱尔兰联合银行的信息和展示实验结果支持rowhammer的原因。我们希望我们揭露的信息结构、行为和DRAM的特点将有助于未来DRAM的研究。”
找到这里的技术论文。发表:2023年6月(预印本)。
南、Hwayong Seungmin门敏,Minbok Wi,迈克尔·金Jaemin Jaehyun公园,Chihun歌,和南金成。“x射线:发现DRAM内部结构和误差特性通过发行内存的命令。”arXiv预印本arXiv: 2306.03366(2023)。
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