未来的记忆

专家在餐桌上,第3部分:安全、过程变化,缺乏其他IP高级节点,和太多的铸造过程。

受欢迎程度

半导体工程坐下来讨论未来的记忆与弗兰克铁,高级主管的产品管理内存和接口IP Rambus;马克•格林伯格Synopsys对此产品营销总监;和丽莎Minwell eSilicon IP市场营销的高级主管。以下是摘录的谈话。要查看第1部分,点击在这里。第2部分是在这里

SE:下一个大的进步在内存市场吗?

Minwell:深度学习。他们看着怎么做所有这些算法修改的数据和评估数据为高学习得到正确答案。这将推动的区域。

:但它仍然可以归结为应用程序的知识。当你有更好的系统,知道你正在使用的数据类型,你会得到更多你的记忆效率。甚至回顾我的早期处理,我们仍然从标量上看待事情当我们计划。这是一个线程,我们真的没能有效地使用多个线程。有一些程序员有三个或四个线程同时运行,但不直观。我们受困于这个CPU,内存架构从编程的角度来看。这并没有改变。我们只是试图围绕该模型构建的效率。

我们讨论了SRAM和DRAM SE:。第二块,从移动处理器,存储,最大的问题有多么强大。比一个旋转的磁盘是什么?

:没有什么比从现在每一点成本,它可能不会很长一段时间。即使你看数据中心,flash的比例很小。

Minwell:我同意。

格林伯格:它仍然是一个成本函数。就像耐力是第二。你可以处理耐力几种不同的方式。你可以通过在内存和回来搬东西,纠正一些和这些类型的技术。没有人站起来,说他们需要更可靠的flash,但是每个人都说,他们关心的是成本。

:为了采取它你需要速度。这需要更低的延迟。还有就是成本。

Minwell:这还需要时间来证明的可靠性。你必须研究它随着时间的推移,虽然有一定的模型来加速。

SE:是一种类型的记忆比另一个更安全吗?

格林伯格:芯片上的记忆总是比芯片外安全。如果你发送的数据片外,那么它可以被攻击。

Minwell:当你存储数据的地方,像罗,如果你担心安全的编程而不是金属的扩散水平。这是另一个领域来控制安全。

格林伯格:随着DRAM,我们一直担心DRAM总线是一种让人们进入系统的不同部分。当你谈论物联网连接设备的世界中,我们假设是安全的信用卡终端等设备,例如,如果你能进入其中的一个,决定你想要自己的CPU, DRAM总线是一个入口点。在努力保护着那辆公共汽车是很重要的。

SE:年前我们听说担忧量子效应在内存中。这是一个问题吗?

Minwell与finFET技术:现在我们没有这个问题。但是我们看到一些变化中死去。我们认为会得到更好的与finFET技术,但我们仍然努力应对。

SE: 16/14或10海里吗?

Minwell:这是在10纳米。我们看到比我们看到的在14 nm更高的可变性。但总的来说,看着有些细胞的强度和读/写电流、SRAM的我们仍然有足够的保证金。所以我们没有问题。

格林伯格:内存制造商正在将其视为他们去大multi-gigabit死亡。

Minwell:基本上开始下面20海里。

SE:它是一个一致的线,如果你去14 nm和10 nm,那么不同比例?

Minwell:我们不知道。但是我们知道下面20海里,你预期成本降低30%的比例和面积从技术到技术,它已经下降曲线。

SE:当我们超越16/14nm,泄漏再次开始攀升。影响记忆的可靠性如何?

Minwell:我们有资格在5和6σ。在旧的技术,你可以用西格玛模型。还有诸如蒙特卡罗分析必须完成,然后你必须关联到硅在后端。

格林伯格为我们描述:没有比过去,但我们必须这样做。

:节点没有改变描述/资格的过程。

Minwell:从传入的角度来看。外向是不同的。

SE:这是一个信号完整性问题?

是的,大多数的我们都是混合信号的接口。我们不一定看到很大的伤害。有一定的信号完整性挑战。

SE:大变化会在内存中在未来三到五年吗?

现在:2.5 d可能是最大的一个。HBM向前发展很迅速。它是集中在数据中心和高性能计算类型的应用程序。

Minwell:和图形。

最大的转变。DDR5将开始成形在规定的时间内,。

Minwell:我们还没有谈到的一件事是寻找IP。例如,对GP DDR5 IP没有。很多时候与先进的技术,当你正在寻找IP穿上一个ASIC,这样你就可以与外部接口技术,我们受限于可用从IP提供商在货架上。

:是的,速度上升,它开始瘦的人群。在3.2 GHz,可靠的DDR变得更大的挑战。你可能有点更慢地当你低于2.1 GHz。这也是造成挑战。除此之外,你必须关注系统和整个频道的信号完整性。更系统的问题不仅仅是一个体育问题。你必须设计内存。

格林伯格:作为一个IP供应商,你必须使IP对许多不同的人。有这样做的成本。你必须描述它。我们有发生崩溃。我们有几种不同的DDR技术。同时,铸造厂有超过10个不同口味的28 nm。有几个在16/14,然后10和7。有很多事情要做。

Minwell:铸造厂的数量减少到先进的流程节点。但似乎也带他们一段过程正确味道。

格林伯格:和很多人会让竞争进步。所以会连同一个过程,然后是其他会回来和改变他们的流程以使它更好。作为一个IP供应商,很难跟上。

有关的故事
第1部分记忆的未来
专家们表,第1部分:DDR5规范定义;正在开发新的SRAM。
接下来是什么DRAM
作为蒸汽的DRAM缩放耗尽,厂商开始关注替代包装和新的内存类型和架构。
新的记忆方法和问题
DRAM和SRAM之后又会有什么呢?也许更多的相同,但不同的架构。



留下一个回复


(注意:这个名字会显示公开)

Baidu