在积极和消极离子污染物的检测模式使用内联西姆斯和一个氧离子束


利用二次离子质谱(SIMS)在线计量学是一个新兴的过程控制方法,需要3测量,使西姆斯在产品晶片。西姆斯的测量负离子通常与铯主要离子束。铯存在于硅,不幸的是,当它形成陷阱州如果带隙,从而导致ser……»阅读更多

寻找宏观缺陷:裸晶片检查的重要性


逻辑和内存半导体器件的方法的极限摩尔定律,层传输的准确性要求越来越严格。一个领先的硅晶片制造商估计50%的外延片供应逻辑节点将等于或小于7海里。这是本世纪初的大约30%。以满足极端的要求ultraviol……»阅读更多

电力/性能:6月28日


制作统一的晶圆韩国机械与材料研究所的科学家们(KIMM)和新加坡南洋理工大学(南大新加坡)提出一种技术,它结合了nanotransfer印刷与metal-assisted化学腐蚀改善晶片均匀性和增加产量。研究人员使用一种不含化学物的nanotransfer印刷技术转让黄金nanost……»阅读更多

创新的双重标志设计先进光刻对准验证和过程监控


改善产品覆盖是一个关键的挑战时收缩技术在半导体制造节点。智能位置调节标记对X和Y方向,可以确定intra-wafer wafer-by-wafer扭曲。测量和建模应用结果直接作为前馈校正,使晶圆级控制。在这个p…»阅读更多

新建项目需要满足硅片需求


日志记录发货后在2021年第一季度,硅片行业可能需要尽快开始新建项目今年提高能力在未来两年内,随着市场需求和平均销售价格继续改善。一个段受制于300毫米外延晶片供应短缺,短缺我们希望推动持续涨价的临近……»阅读更多

逐步反弹或轻微的下降


不确定性贯穿硅片市场为COVID-19大流行威胁要推翻2020年的增长预测。出货量和收入下降的困扰硅片市场在2019年经济低迷时期,2020年被乐观与上升的预期库存水平正常化,内存市场改进,数据中心市场增长和5 g市场起飞……»阅读更多

桑迪亚的工厂得到升级


桑迪亚国家实验室微电子工厂刚刚完成更新设备,标志着完成3年工厂升级计划的第一阶段。过渡从6英寸到8英寸晶圆尺寸将使美国能源部国家实验室与行业标准,以确保更容易访问工具、零部件和原材料。桑迪亚的声望的成员……»阅读更多

Intra-Field压力影响全球晶圆变形


的贡献者之一层覆盖在今天的芯片制造晶片失真是由于薄膜沉积过程。电影特定材料参数不匹配(例如,热膨胀系数)可能导致process-induced翘曲在室温下的晶圆。当这些扭曲的晶圆装载到下一层接触的扫描仪,平面disto……»阅读更多

2019年一季度单位下降影响晶片对2019年的需求


Semico晶片需求模型更新了2019年一季度的结果在2019年晶片需求下降5.9%。工艺技术和生产力,Semico晶片需求模型是高度依赖于半导体销量。在2019年第一季度,总半导体单位第四季度相比2018年下降了7.4%和2018相比第一季度的3.8%。单位的下降是广泛的spe的意义重大,因为……»阅读更多

从砂晶片


比大多数行业,我们是识别与单个元素,硅。考虑self-adopted命名约定的所有地方,想成为公认的成员club-Silicon山谷,硅海滩、硅森林等等。硅片是基本生产电子“芯片”,几乎遍及我们生活的方方面面。新的应用程序在物联网中,…»阅读更多

←旧的文章
Baidu