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标签:等离子体增强化学气相沉积

让尖端节点的芯片产量更快
通过埃德·斯珀林- 2022年11月30日-评论:0

半导体制造的模拟正在升温，特别是在最先进的节点上，数据需要在变化和不良率等因素的背景下进行分析。《半导体工程》采访了Lam Research公司计算产品副总裁大卫·弗里德(David Fried)，谈论了Lam最近收购Esgee Technologies的背后原因。»阅读更多

用于高温加工的平面化自旋碳材料的研制
通过布鲁尔科学- 2020年8月20日-评论:0

多层光刻技术被用于先进的半导体工艺，以形成复杂结构的图案。随着越来越多的程序纳入高温工艺，如化学气相沉积(CVD)，对热稳定材料的需求增加。对于某些应用，CVD层下的自旋碳(SOC)层需要在高温过程中存活. ...»阅读更多

高温工艺集成先进材料“，
通过詹姆斯羊肉- 2020年7月16日-意见:0

从最近的几个光刻节点，在14到10nm范围内，到最新的节点，在7到5nm范围内，对图案和图像传输材料的要求急剧增加。一个关键的关键点是平面化和所需的碳膜的高温稳定性之间的权衡，用于模压和后模压工艺集成。喋喋不休地说……»阅读更多

新的BEOL/MOL突破?
通过马克LaPedus- 2017年6月15日-评论

芯片制造商正在推进高级节点晶体管的扩展，但这正变得越来越困难。该行业正在努力保持相同的接触和互连时间表，这代表了在最先进节点上的芯片成本和不必要的阻力的更大一部分。尖端芯片由三部分组成——晶体管、触点和互连。…»阅读更多

下一个挑战:接触电阻
通过马克LaPedus- 2016年6月23日-评论:0

在芯片扩展方面，不乏挑战。扩大finFET晶体管和互连是当前和未来设备面临的最大挑战。但现在，该设备的另一个部分正在成为一个问题——接触。通常情况下，这种触点并没有得到那么多的关注，但业界开始担心触点中的电阻，或conta…»阅读更多

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