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标签:PECVD

芯片制造产生更快的尖端节点
通过埃德·斯珀林11月- 30,2022 -评论:0

模拟半导体制造业正在升温,尤其是在最先进的节点数据需要分析等因素变化的背景下,defectivity利率。半导体工程与大卫炸坐下,计算产品的公司副总裁林的研究,讨论Lam Esgee最近收购的背后是什么技术,…»阅读更多

先进材料高温过程的集成
通过詹姆斯羊肉- 7月16日,2020 -评论:0

从过去几个光刻节点,在14 - 10 nm范围内,最新的节点,在7 - 5 nm范围、模式和图像传输材料的需求急剧增加。的一个关键压力点是整平之间的权衡和所需的高温稳定性碳电影中使用模式和post-patterning流程集成。喋喋不休地说……»阅读更多

原子层沉积是如何运作的吗
通过丹尼斯·豪斯曼3月- 15,2018 -评论:0

想象能够几个原子层沉积一层材料。这听起来不可能,原子层沉积(ALD)是一个现实。事实上,它被用于越来越多的应用程序作为一个非常精确和可控的过程来创建薄膜。连同其腐蚀同行——原子层蚀刻(ALE)——ALD使我们…»阅读更多

新BEOL /摩尔突破?
通过马克LaPedus- 15,2017 -评论:1

芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点,但它变得更加困难。这个行业正在努力保持相同的接触和互联的时间表,这代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。尖端芯片晶体管,包括三个部位接触和互联。…»阅读更多

原子层沉积
通过林的研究——5月18日,2017 -评论:0

想象能够几个原子层沉积一层材料。这听起来不可能,原子层沉积(ALD)是一个现实。事实上,它被用于越来越多的应用程序作为一个非常精确和可控的过程来创建薄膜。连同其腐蚀同行——原子层蚀刻(ALE)——ALD使我们…»阅读更多

下一个挑战:接触电阻
通过马克LaPedus——6月23日,2016 -评论:0

在芯片扩展,没有短缺的挑战。扩展finFET晶体管和互联设备当前和未来面临的最大挑战。但是现在,还有另一个设备的一部分,是成为一个问题。通常,联系没有得到太多的关注,但业内人士开始担心接触电阻,或帐目…»阅读更多

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