标签:nanosheet场效应晶体管

半导体测试:Nanodevices中保持领先
通过塔克戴维斯- 07年6月,2022 -评论:0

在半导体制造过程中,工程师继续创新,使更小的晶体管电路和更高的密度。过渡到finFETs允许7和5 nm过程实现电路的密度,和nanosheet晶体管的进步提供了信心在未来发展的数字电路降低成本和提高性能。作为单独的t…»阅读更多

推进到3 nm节点和超越:技术,挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove8月19日,2021 -评论:0

似乎昨天finFETs被缩小设备比例限制的答案长度和所需的静电学门。finFETs开始在22 nm节点的引入,并一直持续到7 nm节点。除了7海里,它看起来像nanosheet设备结构将用于至少5 nm,可能3 nm节点。nanosheet设备结构brainc……»阅读更多

越来越不均匀3 nm / 2海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林2021年5月- 24 -评论:2

一些芯片制造商和专业设计公司竞相开发流程和相互芯片在下次逻辑节点3和2 nm,但把这些技术应用到大规模生产被证明是昂贵和困难。也开始质疑仅仅需要这些新节点和为什么。迁移到下一个节点并提高性能……»阅读更多

从FinFETs Gate-All-Around
通过尼莉莎Draeger11月19日,2020 -评论:0

当他们第一次商业化22 nm节点,finFETs代表我们构建晶体管的方式的革命性变革,微型开关芯片的“大脑”。相比之前的平面晶体管,鳍,三面接触的大门,提供更好的控制通道的形成在鳍。但是,finFETs已经达到的效用为…»阅读更多

制造业:11月17日
通过马克LaPedus11月17日,2020 -评论:0

英特尔的gate-all-around场效应晶体管在即将到来的IEEE国际电子设备会议(IEDM),英特尔预计提交论文努力开发gate-all-around晶体管。一篇论文从英特尔描述了一个更传统的gate-all-around晶体管技术称为nanosheet场效应晶体管。另一篇论文包括下一代NMOS-on-PMOS nanoribbon晶体管技术。(F……»阅读更多

原子层腐蚀扩展到新的市场
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

半导体行业正在开发应用程序的下一波原子层腐蚀(ALE),希望在一些新的和新兴市场立足。啤酒,下一代蚀刻技术,消除了材料在原子尺度,是一些工具用于处理先进的设备在一个工厂。啤酒进入生产选择应用程序大约在2016年,尽管技术……»阅读更多

制造业:5月26日
通过马克LaPedus——5月26日,2020 -评论:0

7-level nanosheets 2020年座谈会在VLSI技术&电路将举行首次作为虚拟会议。6月15日至18日举行的活动,围绕的主题是“未来40年的VLSI无处不在的智慧。”事件的报纸包括先进nanosheet晶体管、3 d堆叠存储设备,甚至人为的虹膜。在…»阅读更多

FinFETs之后是什么?
通过马克LaPedus——7月24日,2017 -评论:3

芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

三星推出缩放、包装路线图
通过埃德·斯珀林2017年5月- 24 -评论:5

三星铸造了咄咄逼人的路线图,鳞片4海里,并包括一个扇出wafer-level包装技术,桥梁芯片在再分配层,18海里FD-SOI,和一个新的组织结构,允许单位作为商业企业更大的自主权。这些举措将[getentity id = " 22865 " e_name =“三星代工”)在直接竞争得到……»阅读更多

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