标签:LELELE

单和多模式EUV
通过马克LaPedus- 3月25日,2019 -评论:5

极端紫外线(EUV)光刻最终进入生产,但铸造客户现在必须决定是否使用EUV-based单一模式实现他们的设计在7海里,还是等待,而不是部署EUV多个模式5海里。每个模式方案都有独特的挑战,使决策更困难比可能出现。针对7海里,单一模式……»阅读更多

与工厂循环次数
通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:8

从平面设备转向finFETs使芯片制造商能够扩展他们的流程和设备从16 nm / 14 nm和超越,但每个节点的行业面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间关键但不公开的一部分chip-scaling方程还正在增加在每个转折点,为芯片制造商创造更多的焦虑和…»阅读更多

为什么EUV是如此困难
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:23

多年来,极端紫外线(EUV)光刻是一种很有前途的技术,应该帮助启用高级芯片扩展。但经过多年的研发、EUV还没有在生产,尽管主要支持产业,巨大的资源和数十亿美元的资金。最近,然而,[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "]光刻pos似乎指日可待…»阅读更多

多个光刻选项仍然在玩
通过波拉多伊- 03年8月,2015 -评论:1

吞吐量和正常运行时间的EUV,覆盖193海里浸没式光刻技术的准确性,继续稳步改善,虽然也没有准备好10 nm生产,根据西方扬声器在半导体。ASML主任迈克Lercel、产品营销、报道几个EUV工具网站实现了70%的正常运行时间超过一个星期,和一个客户站点做了四个多…»阅读更多

10纳米工厂挑战
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:1

2015年一个有希望的开始后,半导体设备行业正在经历一场轻微的间歇。然而,暂停预计将是短暂的。供应商(getkc id = " 208 "评论=“3 d NAND”]设备今年晚些时候预计将增加更多的工厂产能。大约在同一时间,铸造厂预计订单第一批大量生产工具10纳米。10海里……»阅读更多

10 nm FinFETs崎岖不平的道路
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

铸造供应商目前增加16 nm / 14 nm (getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)市场的过程。供应商正在彼此的业务领域,虽然从平面迁移finFETs预计将是一个缓慢而昂贵的过程。然而,尽管在16 nm / 14纳米的挑战,供应商正在准备下一个战斗在铸造流行10 nm点头……»阅读更多

第一次看到:10纳米
通过埃德·斯珀林1月29日,2015 -评论:6

随着半导体产业开始在解决大规模生产14/16nm过程节点,工作已经开始在10纳米。工具是合格、IP的特点是,第一个测试芯片正在生产。这对生产还为时过早,讲座或是三年也就有足够的信息被收集画至少一些印象多么toug……»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu