解决车辆与支持结构可以模糊系统安全漏洞


新技术论文题为“高效ECU通过支持结构分析技术可以起毛”从进程大学的研究人员,高丽大学,和韩星大学与韩国政府的资助。抽象的“现代车辆配备一定数量的电子控制单元(ecu),有效控制车辆通过相互通信有限公司…»阅读更多

技术论文聚拢:3月22日


新的记忆、材料、和晶体管类型,使这些设备和流程,强调过去一周的技术论文。包括从垂直二硫化钼到可编程黑磷图像传感器对柔性薄膜材料和光子发射过程。论文继续流从供应链的所有部分,与巴基斯坦的一些新的研究,首尔……»阅读更多

NAND也logic-in-memory由硅纳米线场效应晶体管的反馈


文摘:“大量数据的处理需要一个高能源效率和快速的高性能计算系统的处理时间。然而,传统的冯诺依曼计算机系统性能瓶颈的限制之间的数据移动分开处理和内存层次结构,导致延迟和高功率消耗。为了克服这个hindra……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM


时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

电力/性能:1月10日


Muscle-tracking服装来自犹他大学,国立大学的研究人员开发出一种低成本的生物电子传感器,可以集成到衣服。传感器测量肌电图(EMG)信号中产生肌肉时合同。EMG信号用于研究肌肉疲劳和恢复,可能被用来通知diagnosi…»阅读更多

在手性力矩工程β-W / CoFeB异质结构与W-Ta或W-V合金层β-W和CoFeB之间


抽象的“自旋轨道转矩(说)造成的自旋电流产生在一个非磁性过渡金属层提供了一个有前途的自旋电子元件磁化切换机制。为了充分利用这种机制,在实践中,说效率高的材料是不可或缺的。此外,新材料与半导体加工需要兼容。本研究介绍……»阅读更多

电力/性能:6月22日


太赫兹硅多路复用器来自大阪大学和阿德莱德大学的研究人员设计了一个硅terahertz-range通信的多路复用器300 - ghz乐队。“为了控制太赫兹波的频谱带宽,多路复用器,用于分离节点和连接信号,是至关重要的信息划分为可管理的块,可以更容易地……»阅读更多

高密度Spin-Orbit-Torque Shared-Write-Channel-Based装置磁随机存取存储器


抽象”Spin-orbit-torque(说)设备是有前途的候选人为未来磁记忆风景,他们承诺高耐力、低干扰阅读,和较低的读取错误,与自旋扭矩设备相比。然而,说记忆是区域密集由于两个访问晶体管每一点要求。在这里,我们报告一个多位数说细胞只有一个写陈…»阅读更多

制造业:4月28日


Gate-all-around可靠性物理2020年IEEE国际可靠性研讨会(irp)本周将开始,这一次作为一个虚拟的事件。irp是一个会议,关注最新的微电子学研究的可靠性。事件开始在英飞凌的关键提示下,英特尔和德州仪器。irp还涉及大量的论文和演讲。在罗技……»阅读更多

电力/性能:1月8日


亚铁磁性记忆工程师在新加坡国立大学,丰田技术研究所和韩国大学提出一种新型的自旋电子20倍的内存比商业更有效率和更稳定的10倍。自旋电子元件,根据上下磁数据存储状态。当前设备基于铁磁物质,然而,遭受几issu……»阅读更多

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