标签:III-V finFETs

FinFETs之后是什么?
通过马克LaPedus——7月24日,2017 -评论:3

芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

7和5 nm会是什么样子?
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:0

以各式各样的秘密制造问题为由,英特尔推出7月10 nm芯片和过程技术的引入2017年下半年。这是大约6个月或者更多,比预期晚。延迟10 nm, [getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”)也推出其过程节奏从2到2.5年。与此同时,其他铸造厂正在努力保持…»阅读更多

一对一:马克波尔
通过马克LaPedus- 9月18日,2014 -评论:1

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势,芯片封装和其他主题的马克•波尔高级研究员和英特尔的流程架构和集成主管。SE:英特尔公司最近推出了新14 nm芯片基于其过程。你能简要描述14 nm过程?玻尔:这是我们的第二代,三栅极的技术。所以它有阿尔……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus7月- 14,2014 -评论:2

今天的硅基finFETs可能失去势头在10纳米。如果或当芯片制造商超越10 nm, IC供应商将需要一个新的晶体管架构。III-V finFETs, gate-all-around场效应晶体管,量子井finFETs, SOI finFETs和垂直纳米线只是几个未来的晶体管候选人在7和5 nm。从技术上讲,这是可能的制造晶体管的部分……»阅读更多

原子层蚀刻终于出现了
通过马克LaPedus——5月15日,2014 -评论:1

迁移对finFETs 20 nm节点和其他设备,除了需要一个新的数组芯片技术。多个模式,混合计量和新奇的互连方案所需的只是几个技术未来的扩展。此外,行业还需要新的技术,可以处理结构在原子水平。例如……»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

高管的观点:高通处理技术
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:3

半导体工程坐下来讨论当前和未来的过程技术挑战与杰弗里•易普科技副总裁高通。SE:你有指出有一个根本性的转变发生在28 nm逻辑节点。这是第一个节点的移动芯片已经增加了第一次在铸造厂,computing-based ICs的前面。许多人认为,28 nm……»阅读更多

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