标签:finFETs

评估STI休会剖面控制先进FinFET的影响性能
通过玉德陈10月- 21,2021 -评论:0

剖面变化是最重要的一个问题在半导体器件制造和扩展。这些变化可以降低芯片产量和设备性能。虚拟制造可以用来研究剖面变化非常有效和经济的方式,避免过程周期时间和硅片成本的工厂。在这篇简短的文章中,我们将回顾STI (s的影响……»阅读更多

构建复杂芯片持续时间更长
通过埃德·斯珀林- 9月23日,2021 -评论:0

半导体工程坐下来谈论设计挑战先进的包和节点和约翰·李,副总裁和总经理在Ansys半导体;总经理Shankar Krishnamoorthy Synopsys对此的设计团队;西蒙•伯克在Xilinx杰出工程师;和安德鲁•Kahng CSE与ECE教授在加州大学圣地亚哥分校。这个讨论举行Ansys创意有限公司…»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

棉酚的影响在3/2nm晶体管
通过布莱恩•贝利8月- 16,2021 -评论:2

芯片行业准备另一个变化在晶体管结构gate-all-around(棉酚)场效应晶体管取代finFETs 3 nm和下面,创建一个新组设计团队面临的挑战,需要充分理解和解决。从finFETs棉酚场效应晶体管被认为是进化的步骤,但对设计流程和工具的影响仍将是巨大的。棉酚场效应晶体管将提供…»阅读更多

使用虚拟能源部预测过程窗口和设备性能先进的FinFET技术
通过Qingpeng王- 03年8月,2021 -评论:0

Qingpeng王、陈昱De Cheng Li瑞宝,杰克黄和约瑟夫·欧文介绍持续finFET设备扩展过程,微加载控制变得越来越重要的由于其显著影响产量和设备性能[1 - 2]。Micro-loading发生在晶片上的局部腐蚀速率取决于现有的特征尺寸和本地模式密集。Uninten……»阅读更多

芯片设计一个“无法无天”的产业
通过埃德·斯珀林2021年8月- 02年,评论:2

设计芯片的路标消失或变得不那么重要。虽然工程师今天定制设计有更多的选择,他们几乎没有什么方向最适合特定的应用程序或投资回报将是对于那些努力。对芯片架构师来说,这被证明是一个尴尬的财富。然而,设计自由是智慧…»阅读更多

低功率芯片:小心
通过安Mutschler- 08年7月,2021 -评论:0

低功耗设计高级节点和高级包装成为一个多方面的,多学科的挑战,一长串的问题需要解决个人和上下文中的其他问题。随着每一个新的前沿流程节点,越来越密集的包装,潜在的问题越来越多的交互。这反过来会导致贫穷的收益率,因为……»阅读更多

稀释剂与二维半导体通道
通过凯瑟琳德比郡- 6月21日,2021 -评论:0

搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

功率优化:接下来是什么?
通过布莱恩•贝利——5月17日,2021 -评论:2

权力的担忧被半导体一直在上升在过去的几十年,但我们希望能看到未来的分析和自动化从EDA公司,行业准备投资吗?自从Dennard扩展停止提供自动功率增加到一个更小的几何,大约在2006年,半导体一直在增加…»阅读更多

的未来FinFETs 5海里
通过Assawer苏苏- 05年3月,2021 -评论:0

虽然接触门距(GP)和翅片间距(FP)比例继续提供更高的性能和更低的功率finFET平台,控制寄生RC和实现更高的晶体管性能的技术节点5 nm及以后变得具有挑战性。与Imec合作,最近我们使用SEMulator3D虚拟制造探索一个端到端的解决方案更好的能听懂……»阅读更多

←旧的文章 新帖子→

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu