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HBM,纳米片fet驱动x射线Fab使用


布鲁克x射线业务副总裁兼总经理保罗·瑞安(Paul Ryan)与半导体工程公司(Semiconductor Engineering)坐下来讨论了x射线计量技术在制造业中的应用,以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料凹凸质量。SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说,推动你们技术发展的关键因素是什么?Ryan:一个b……»阅读更多

下一代晶体管


纳米片,或者更一般地说,栅极全能fet,标志着最先进节点晶体管结构的下一个重大转变。Lam Research计算产品副总裁David Fried与《半导体工程》杂志讨论了使用这些新型晶体管的优势,以及未来节点的无数挑战,特别是在计量领域。»阅读更多

利用人工智能改进复杂设计中的PPA


芯片设计的目标一直是优化功率、性能和面积(PPA),但即使使用最好的工具和经验丰富的工程团队,结果也会有很大差异。优化PPA涉及越来越多的权衡,这些权衡可能因应用程序、IP和其他组件的可用性以及工程师对不同工具和方法的熟悉程度而异。Fo……»阅读更多

芯片短缺即将结束?


目前半导体和IC封装的短缺浪潮预计将持续到2022年,但也有迹象表明,供应可能最终会赶上需求。半导体和封装行业的制造能力、材料和设备也是如此。尽管如此,在所有领域都出现短缺一段时间后,目前的观点是芯片供应…»阅读更多

制造比特:10月26日


在即将在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,许多实体将发表有关最新研发技术的论文。该会议将于12月11日至15日举行,涉及先进封装、CMOS图像传感器、互连、晶体管、功率器件和其他技术的论文。在IEDM,英特尔将提出一篇关于GaN的论文…»阅读更多

评估STI隐窝轮廓控制对高级FinFET性能的影响


廓形变化是半导体器件制造和规模化过程中最重要的问题之一。这些变化会降低芯片成品率和器件性能。虚拟制造技术可以非常有效和经济地研究晶圆轮廓的变化,避免工艺周期时间和晶圆成本。在这篇短文中,我们将回顾性传播疾病的影响。»阅读更多

制造更持久的复杂芯片


《半导体工程》与Ansys副总裁兼半导体总经理John Lee共同探讨了先进封装和节点的设计挑战;Synopsys设计集团总经理Shankar Krishnamoorthy;Xilinx的杰出工程师Simon Burke;加州大学圣地亚哥分校CSE和ECE教授安德鲁·康(Andrew kang)。本次讨论在Ansys IDEAS公司举行。»阅读更多

用AFMs进行埃级测量


原子力显微镜(AFM)市场的竞争正在升温,几家供应商正在推出新的AFM系统,以解决包装、半导体和其他领域的各种计量挑战。AFM是一个小而发展的领域,它涉及一个独立的系统,可以提供低至埃级的结构表面测量。1埃= 0…»阅读更多

GAA晶体管在3/2nm的影响


随着栅极全能(GAA) fet取代3nm及以下的finfet,芯片行业将迎来晶体管结构的另一次变化,这为设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战。GAA fet被认为是finfet的一个进化阶段,但对设计流程和工具的影响仍然预计是重大的。GAA fet将提供…»阅读更多

利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的进程窗口和器件性能


随着finFET器件工艺尺度的不断扩大,微加载控制因其对成品率和器件性能的显著影响而变得越来越重要[1-2]。当晶圆片上的局部蚀刻速率取决于现有的特征尺寸和局部图案密度时,就会发生微加载。Uninten……»阅读更多

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