标签:SOI

一种超低功耗电流舵DAC的设计在现代SOI技术
通过弗劳恩霍夫东亚峰会2020年5月- 13 -评论:0

尽管巨大的进步在数字化创新和处理信号在上个世纪,现实世界在本质上是不可避免的模拟信号。数模转换器(DAC)服务等这些数字化信号翻译成不同的模拟量电压、电流或指控。我们主要关注奈奎斯特速率current-steering数字-模拟converte……»阅读更多

制造业:12月31日
通过马克LaPedus- 12月31日,2019 -评论:0

GaN-on-SOI权力半决赛在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM) Imec和KU鲁汶大学发表了一篇论文在出(GaN)绝缘体(SOI)技术发展中氮化镓功率使用设备。GaN-on-SOI技术,研究人员开发了一个200伏特的氮化镓功率半导体器件与集成的驱动程序和快速交换性能。…»阅读更多

基准的研究附加磁场效应晶体管(CFET)流程集成选项
通过Coventor——11月21日,2019 -评论:0

Sub-5纳米逻辑节点需要一个非常高水平的创新来克服固有的房地产的限制在这个设备密度增加。增加设备密度的一种方法是看设备垂直维度(z)和设备堆叠到彼此代替传统并排。[1]附加磁场效应晶体管的制造……»阅读更多

制造业:4月23日
通过马克LaPedus- 4月23日,2019 -评论:0

排序核欧洲核子研究中心和GSI达姆施塔特已经开始测试的第一个两个巨大的磁铁,将作为的一部分的一个世界上最大和最复杂的加速器设施。欧洲核研究组织,欧洲核子研究中心最近获得两个磁铁从助教。两个磁铁共有27吨重。大约60在未来5年内将陆续推出更多的磁铁。这些……»阅读更多

混合硅片商业前景
通过马克LaPedus- 2月21日,2019 -评论:0

经过一段时间的增长记录,硅片行业是一个缓慢的开始,2019年面临着复杂的前景。一般来说,200毫米硅片供应依然紧张。但300毫米硅晶片需求冷却在某些领域,导致供应走向平衡经过一段时间的短缺。不过,平均硅片价格继续上涨,尽管放缓……»阅读更多

制造:1月2
通过马克LaPedus1月- 02年,2019 -评论:0

更好的纳米线场效应管在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM) Imec和应用材料发表了一篇论文在一个新的和改进的方法制造垂直堆叠gate-all-around mosfet。更具体地说,Imec和应用报道过程改进的硅纳米线场效应晶体管,集成在一个CMOS双功函数金属替代ga……»阅读更多

国防部信任危机铸造项目?
通过马克LaPedus10月- 22,2018 -评论:0

美国国防部委托铸造项目的变化是由于GlobalFoundries最近决定搁置7海里,在美国国防部门提高国家安全方面的担忧。美国国防部和军事/航空芯片客户目前可以访问美国的“安全”铸造能力14海里,但这就是它结束。没有其他铸造厂提供类似“年代…»阅读更多

FD-SOI技术的优点
通过迈克尔Hargrove1月18日,2018 -评论:0

如果我没记错的话,这是在1989年的设备研究会议的潜在优点SOI(绝缘体上硅)技术讨论了晚上在激烈的小组讨论。小组讨论,有许多倡导SOI,以及许多反对者。我并没有真的认为更多关于SOI技术直到年代中期,当我坐在一个会议,其中t…»阅读更多

实现硅光子学的视觉处理
通过桑迪温10月- 20,2016 -评论:0

随着需要更快的数据传输速率,从电到光信号的数据处理是不可避免的。铜布线跟不上即将到来的数据中心带宽要求多媒体流和高性能计算等应用程序。一种技术,可以使真正的光通信是硅光子学。硅是……»阅读更多

与SEMulator3D FinFET Front-End-of-Line (FEOL)过程集成
通过Coventor- 10月19日,2016 -评论:0

纯粹的几何比例的晶体管结束在90纳米(纳米)的时代。从那时起,大多数电力/性能和面积/成本的改进来自结构和材料的创新。绝缘体(SOI),第一个“部分耗尽”和最近“完全耗尽”以及嵌入式压力,High-K /金属门(HKMG)和现在FinFETs是技术创新的例子…»阅读更多

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