管理产量与EUV光刻和推断统计学


识别问题,实际上影响产量正变得越来越重要,高级节点更加困难,但有进步。尽管他们是密切相关的,收益管理和过程控制是不一样的。收益管理寻求最大化功能设备的数量的线。过程控制重点是保持每个设备层在其des……»阅读更多

协助层:EUV光刻的无名英雄


最先进光刻的讨论集中在三个元素——曝光系统,光掩模,光阻,但这只是挑战的一部分。成功转移模式的光掩模的物理结构晶片还取决于各种电影合作,包括下层、开发人员,和各种表面处理。事实上……»阅读更多

大的变化在功率输出、材料、和互联


这个预测的部分介绍了晶体管发展架构和光刻平台。这份报告检查革命互联和包装。设备互联时,很难打败铜。其低电阻率、高可靠性为行业极其以及两片上互连芯片之间和电线。但在逻辑芯片,int……»阅读更多

技术预测:工厂过程观察到2040年


半导体的大规模扩散更多的市场和更多的应用程序在这些市场,预计将推动工业到2030年超过1万亿美元。但是在接下来的17年,半导体将达到超出了数字,改变人们的工作方式,他们如何沟通,如何测量和监控他们的健康和福祉。芯片将会使…»阅读更多

生态系统进化的EUV反映2023先进光刻+模式


正如预期的那样,今年的先进光刻+模式研讨会是一个非常有益的活动,有许多有趣的报纸被呈现在范围广泛的学科。许多文章主题相关前沿的光刻技术,这意味着EUV光刻。与EUV光刻牢固确立在高容量生产(HVM),我们可以看到在表示……»阅读更多

深度学习(DL)应用在光掩模半导体晶圆制造


eBeam倡议发表的成员公司(2023年2月),这个列表所使用的人工智能(AI)系统的成员公司在半导体制造产品显示了进步。新系统使用人工智能的例子包括:图像处理和参数调优掩模光刻工具计量系统中b样条控制点生成工具sem……»阅读更多

更准确和详细的分析半导体缺陷使用SEMI-PointRend SEM图像


技术论文题为“SEMI-PointRend:提高半导体晶圆缺陷分类和分割为渲染”发表(预印本)的研究人员在imec,韩国蔚山大学和KU鲁汶。文摘:“在这项研究中,我们应用了PointRend(积分渲染)半导体缺陷分割方法。PointRend迭代分割算法受ima……»阅读更多

流程创新使下一代soc和记忆


实现改善性能先进的soc和包——用于移动应用程序,数据中心,和AI——需要复杂的和潜在的昂贵的架构的变化,材料,和核心制造过程。以下选项中考虑新的计算架构,不同的材料,包括薄势垒层和高th……»阅读更多

测量3 d侧壁地形& l对光刻胶使用Tip-Tilting AFM技术模式


新技术论文题为“提高光刻胶的3 d井壁测量精度与tip-tilting使用原子力显微镜技术”日本国家计量研究院的研究人员(NMIJ)和国家先进工业科学技术(巨大)。“我们已经开发出一种技术,使用原子测量井壁的抵抗模式……»阅读更多

设备和晶体管在接下来的75年里


75周年晶体管的发明引发了一场生动的小组讨论在IEDM,刺激讨论未来的CMOS, III-V和二维材料的作用在未来的晶体管,以及将成为下一个巨大的内存架构。[1]行业老兵的记忆,逻辑,和研究社区看到high-NA EUV生产、NAND闪存1000层,混合好…»阅读更多

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