标签:乐乐

多模式、多权衡
通过大卫阿伯克龙比- 11年12月,2014 -评论:0

俗话说的好,“没有免费的午餐。”这是一个现实,即芯片设计者不得不靠从一开始。从第一个设计规则的出现,很明显,你不能做任何你想要的。最后,一切都归结于权衡。无论是面积、速度、渗漏、噪声敏感性,或驱动电流,做一些impr……»阅读更多

平选择稀疏后10纳米
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

尖端铸造厂增加他们16 nm / 14 nm逻辑流程、研发10 nm和7海里。除非有重大突破在[getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”],芯片制造商和多个成像将使用193 nm液浸式光刻16 nm / 14 nm和10纳米。现在,芯片制造商都在关注7纳米光刻技术的选择。和之前一样,选项包括通常的嫌疑人——[gettech id = "……»阅读更多

多重图像多少?
通过埃德·斯珀林——6月19日,2014 -评论:2

最新平专家共识是,极端的紫外线(EUV)将出现在市场在未来几个月在商业上可行的形式。唯一的问题是商业生存能力的程度,它将实际成本。虽然有些争论是否残留EUV会走了,总体感觉是,最近已经取得了足够的进展,使其工作....»阅读更多

自对准双重模式,第一部分
通过大卫阿伯克龙比——5月15日,2014 -评论:0

我相信你们大多数人看到罗夏墨迹测试(图1)。精神病医生问受试者告诉他们“看到”墨水污点。答案是用来描述被申请人的个性和情感的功能。我不确定我是否感到更不确定的是精神病医生问,或试图决定该说些什么,鉴于有ar……»阅读更多

如果EUV失败呢?
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:2

业内最糟糕的保密,但极端紫外线光刻技术(EUV)可能会错过10 nm节点。因此,芯片制造商可能扩展和使用今天的193 nm浸没式光刻10纳米。当然,这需要一个复杂的和昂贵的多个模式方案。现在,芯片制造商正在制定7纳米光刻技术策略。现在的情况是,…»阅读更多

技术讨论:多重图像,把两个
通过布莱恩•贝利- 3月31日,2014 -评论:0

导师图形的大卫阿伯克龙比继续他的白板讨论与先进光刻着色,包括差错以及如何解决它。[youtube视频= HCBtvHCcbf4]»阅读更多

定向自组装的发展势头
通过马克LaPedus3月- 20,2014 -评论:0

在去年的有先进光刻技术研讨会,定向自组装(DSA)抓住了聚光灯下的芯片制造商提供了第一次看到他们最初的工作和结果的技术。结果是惊人的,从而推动DSA从好奇心项可能的模式为下一代设备解决方案。事实上,去年GlobalFoundries、IBM、英特尔和地空导弹……»阅读更多

当订单事宜
通过大卫阿伯克龙比3月- 20,2014 -评论:0

你在晚饭前刷牙吗?穿上你的鞋子在上床睡觉之前?铁前你的衣服你洗吗?好吧,忘记那最后一个。没有人熨衣服了…不是吗?总之,我的观点是,如果你想实现最好的结果从一个过程,顺序很重要。和双模式也是如此(DP)调试错误。我已经讨论过,有许多类型……»阅读更多

恶有恶报:摩尔定律在10 nm和超越
通过格雷格Yeric2014年2月- 13(-评论:2

修改格雷格从原始Yeric埃里克·菲舍尔戈登·摩尔写他著名的观察在这个时代,人们发展过程也是设计电路。随着时间的推移,事情变得更加复杂和工作专门化,但世界上一切都好多年的晶圆厂一直交付摩尔定律。是的,设计师必须想出很多…»阅读更多

低于20 nm DFM挑战比比皆是
通过埃德·斯珀林12月- 13,2012 -评论:0

由安Steffora Mutschler半导体设计团队争取到最后几缩小比例的死于一个技术节点,大部分的能力取决于EDA工具。从一个地方和路由通过DFM checks-essentially,之前发生的一切设计发送到工厂或foundry-it所有必须与生产过程紧密集成有限公司…»阅读更多

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