得分模式识别问题和趋势,对比不同的设计。
拓扑基于模式的方法分析集成电路物理设计复杂性和评分结果模式识别风险模式已成为强大的工具识别重要趋势和比较不同设计。本文之前的工作扩展到包括分析布局设计的7代纳米技术。比较模式复杂性的趋势对前几代。除了识别拓扑模式独有的一个特定的设计,新颖的技术得分这些模式提出了基于潜在收益率风险因素找到模式,带来最高的风险。
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传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
光子学、可持续发展和人工智能芯片吸引投资;157家公司筹集了超过24亿美元。
IP工业正在经历一些转换,将很难使新公司进入市场,并为那些仍然更加昂贵。
中国禁止微米芯片;北美半导体会议形成;应用材料计划40亿美元研发车间;苹果和Broadcom 5 g协议;DRAM收入下降;新的低合金互联10纳米以下。
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
商业chiplet市场仍在遥远的地平线,但公司更早起有限的伙伴关系。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
半导体制造的关键支点和创新点。
工具成为硅/锗硅堆更具体,3 d NAND和保税晶片对。
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