开发另一种新方法,具有成本效益的下层使职能化表面,使EUV模式。
在EUV光刻,好抗拒模式需要一个帮助下面层提供附着防止模式崩溃的小特性和允许更高的纵横比。此外,未来EUV高数值孔径(NA)预计将需要减少厚度的整体模式堆栈。在这项研究中,我们正在探索一个全新的方法来开发一个替代和具有成本效益的下层使职能化表面,使EUV模式。而不是形成5-nm抵抗之间的聚合物薄膜和衬底,我们建议修改旋转涂布薄层的衬底。
作者:Si,乔伊斯·洛斯Ruimeng张明罗,凯尔西Brakensiek, Veerle Van Driessche道格拉斯j·格雷罗州
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