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白皮书

面具热点逃离面具店

基于模型的面具可以阻止他们进行验证。

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虽然绝大多数的晶圆生产问题28 nm和——低于过程节点光刻OPC-related,半导体行业开始看到问题引起的面具热点:wafer-level生产问题造成光学邻近校正所指定的形状(OPC)不是忠实地复制的面具。面具热点地区将占越来越大的部分wafer-level问题当我们进入14 nm-and-below节点,无论使用光刻技术。

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