世界上最薄的日前;为互联self-formed障碍;得病的航行。
世界上最薄的日前
美国能源部阿贡国家实验室设计了世界上最薄的灵活,二维薄膜晶体管(日前)。晶体管是只有10个原子层厚。
日前,通常用于屏幕和显示器。在实验室里,阿贡人员捏造日前在传统硅平台和柔性衬底上。
阿贡国家实验室的科学家们创造了世界上最薄的灵活、透明的薄膜晶体管。(来源:阿贡)
单层石墨烯是用作金属电极。三到四个原子层h-BN(氮化硼)作为闸极介电层。和影响WSe2(钨联硒化物)日前,用作半导体通道材料。“我们选择钨联硒化物,因为它提供了所需的电子和空穴传导使晶体管逻辑门和其他pn结设备,“说阿贡国家实验室科学家Anirudha Sumant,该机构的网站上。
场效应的载流子迁移率是45厘米2 / (Vs),根据研究人员。今天的移动值超过日前的100倍。
活动设备堆栈WSe2-hBN-graphene被发现超过88%透明。设备特征是不变的平面机械应变高达2%,据研究人员。演示的设备温度稳定在77 - 400 K。低接触电阻的值1.4 kΩ-μm和亚阈值斜率90 mv /十年被报道。
“我们高兴地发现,开/关比当前商业薄膜晶体管一样好,”阿贡国家实验室博士后科学家Saptarshi Das说,“但流动性是一百倍比今天在市场上。”
Self-formed互联的障碍
在下一代设计中互连的仍然是一个挑战。金属化的一步是互连的关键流程。多年来,一层阻挡层的钽(Ta)和氮化钽(TaN)材料沉积使用物理气相沉积(PVD)。
助教是用来形成衬垫和褐色的屏障的结构。最近,应用材料公司推出了一种工具,使钴班轮的电影。CVD-based钴衬垫改善整体铜填充。
接下来是什么?在最近的IEEE联席会议的国际互连技术会议(IITC),应用材料和Imec描述了CVD过程,使manganese-based self-formed障碍(SFB)。
锰基sfb都比传统PVD-based壁垒40和100 nm半个球场。在实验室里,铜锰基sfb导致两个最大的部分地区在战壕和铜电阻率减少了维度,这反过来,代表了未来的突破互连伸缩。
锰基sfb沉积使用应用的300毫米Endura平台。锰基SFB的厚度是针对约2海里,据研究人员。PVD-based铜沉积在同一平台。
“与坦塔相比,锰基SFB提供最大部分铜面积在狭窄的战壕,”据IITC的纸。“一块铜电阻率作为铜面积的函数使用锰基SFB确认铜电阻率低14%。最后,希望TDDB和EM可靠性结果证实了20 nm惠普SD二氧化硅战壕与锰基SFB集成。所有这些结果使锰基SFB有前途的候选人为未来互连扩展。”
得病的航行
定向自组装(DSA)产生蒸汽。在DSA,嵌段共聚物(bcp)是用于周期性结构的制造与长度尺度低于100海里。
研究人员我Nanotecnologia Catala Nanociencia研究所(ICN2)已经开发出一种新方法生产六角周期性阵列高保真及时和有效的方式。这种技术结合了nanoimprint光刻与DSA。
“定向嵌段共聚物的自组装polystyrene-b-polyethylene氧化物(PS-b-PEO)薄膜是通过一锅法方法溶剂蒸汽辅助nanoimprint光刻(帆),”研究人员称。
使用帆,同时solvent-anneal和印迹PS-b-PEO薄膜在硅表面预处理产生了一个250纳米线光栅装饰着20 nm直径nanodots数组,根据研究人员。
共聚物的周期性是40 nm。六角形的顺序安排nanodot晶格是由SEM图像量化分析。“imprint-based航行方法从而改善订购nanodot晶格的高达50%,并允许大量的时间处理这些结构和降低成本,”研究人员称。
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