标签:IITC

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

铜互联扩展到2海里
通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

制造业:7月10日
通过马克LaPedus7月- 10,2018 -评论:0

钌互联Imec已经开发了一个过程,使钌(俄文)在芯片互联5海里。俄罗斯是为数不多的几个候选人取代传统铜互连材料芯片。互联,位于顶端的晶体管,包括小铜线计划传输电信号从一个晶体管到另一个。int……»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

制造业:6月3日
通过马克LaPedus- 03年6月,2014 -评论:0

世界上最薄的日前,美国能源部的阿贡国家实验室设计了世界上最薄的灵活,二维薄膜晶体管(日前)。晶体管是10原子层厚。日前,通常用于屏幕和显示器。在实验室里,阿贡人员捏造日前在传统硅平台和柔性衬底上。(标题我…»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu