IBM奥尔巴尼研究所的研究人员发表了一篇题为“A Review of the gate -全能纳米片FET工艺机会”的技术论文。
文摘:
本文综述了栅极全能(GAA)纳米片场效应晶体管器件设计的创新。这些创新跨越了多个阈值电压和底部介电隔离，以及通道几何形状对整体设备性能的影响。综述并讨论了GAA纳米片fet目前所面临的缩放挑战。最后，分析了继续缩放纳米片fet和未来技术所需的未来创新。
找到这里是技术文件．2022年11月出版。
穆克什，萨加里卡，张静云，2022年。“栅极全能纳米片场效应晶体管工艺机会的回顾”，电子11,no. 2。21日:3589。https://doi.org/10.3390/electronics11213589。
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