创新的设备设计Gate-All-Around(棉酚)Nanosheet场效应晶体管(IBM Research)


技术论文题为“审查Gate-All-Around Nanosheet场效应晶体管过程机会”是在IBM的研究人员发表的奥尔巴尼。文摘:“本文的创新设备设计gate-all-around(棉酚)nanosheet场效应晶体管进行了综述。这些创新跨越启用多个阈值电压和底部介质隔离除了通道的影响……»阅读更多

Baidu