如何扩展平比例

集成电路掩模光刻技术今天是复杂的和复杂的。这也是一项正在进行中的工作有很多未知的行业努力提高工作效率,同时减少风险。

目前大部分的工作重点是试图找出什么是一个实际的计划模式光刻技术可以用于10 nm和7海里,说Gandharv Bhatara,口径OPC产品营销经理导师图形。“现在,有三个pathways-immersion光刻与多个模式,EUV,和DSA(定向自组装)。业内似乎有一种共识,即使多个模式是昂贵的,现在的可行的解决方案是10 nm的时机EUV,所以大多数公司会采用,除非重要的进步发生在EUV在未来一年左右的时间。”

他说,虽然DSA总是被定位为一个有趣的7海里候选人接触孔和鳍,这是一个互补的模式改进策略,需要显示重要的价值与多个模式。

多个模式,内部有几个选项,包括pitch-splitting三重模式,这将使其出现10 nm和7海里,或自对准双模式自对准三模式,这可能会被用在不同的层。

有克服的局限性。乔治贝利、技术营销总监Synopsys对此解释说,硬件的变化,在每一个新的流程节点都需要和过去硬件要跟上技术过程。随着时间的推移,出现了一个缺口,导致边际过程窗口。“更高级的材料被部署,现在创建模型的问题。设计仍然变得更加紧凑,也推高了校正时间和复杂性。成本随之上升。”

最大的挑战之一是多边形操纵不增加复杂性和抬高运行时和成本。工作也需要在建模完成空间因为光刻系统被推到自己的极限,在添加新材料,做更多的压力预测模型。增加的复杂性建模。

“随着时间的推移,大约每五年,新材料或新视觉效果都踢在加剧。所以紧凑模式,传统的纯光学和预测,合理、准确的越来越少,必须保持这个速度。”

阿基的方法》的首席执行官d2看来,硅片光刻是非常没有改变。“故事是一样的:EUV即将到来,我们都希望EUV正值7海里,但我们都有疑问。这意味着我们必须做更多的多种模式。”

面具,然而,有很多有趣的事情,他说。“第一过渡到现在被认为是一个基于仿真的验证和数据准备从CAD的观点。仿真验证准备工作已成为公认绝对前缘所必需的。还没有太长时间以来的平均大小和功能您可以编写mask-writing机器上是100 x 100 nm广场,有一个很好的原因。下面,你实际上得到的面具是显著不同的电子束投影投射到面具上,很多错误开始发生。”

到达60 nm和下面的特性是问题开始的地方。“你需要50甚至40纳米特性的面具是准确的,对他们来说是准确的每一次印刷,“藤村说。“不准确可能意味着你想要40 nm但35 nm。但不可靠准确意味着有时你得到30,有时你是在获得42岁,有时你什么也得不到,这就是没有。如果是可靠准确,有方法正确,但是如果它是不可靠的,没有什么可以做的。晶片模拟是OPC期间被指望一个面具的形状,如果你不能指望它,每一次,你就不能够得到你想要的晶片。这个不可靠杀死任何面具。”

但是所有的这些小的形状和复杂形状需要写在面具,这需要基于仿真的处理。打开门重叠镜头和其他类型的操作,同时达到期望的目标。

“可能发生的最大的掩模光刻技术世界的前景多波束7 nm节点机器,”》说。“这很重要,因为多波束机器constant-light-time机器,所以无论多么复杂的面具上的你想要的形状,如果需要写的时间是相同的。之前你不能做它,因为它将花费太多的时间写,但是你可以做一次这些多束机器可用生产口罩。”

工具准备
至于工具准备从计算光刻技术的角度来看,导师Bhatara说一件事成为critical-especially领域的多个patterning-is必须考虑整个流程。包括从设计支持(分解)如何填补,如何你OPC。

“可靠性和收益率是一个大问题,”他说。“你怎么想出解决方案,让你挤出额外的纳米,你需要10 nm和7海里吗?如何确保你没有任何热点因为过程利润率越来越非常紧张吗?”

计算光刻方面的工作仍在进行之中,确保人们能够获得铸造指标的大部分工作在共同发展的伙伴关系模型中,特别是考虑到低于20 nm非常具体的东西。在导师的情况下,该公司增加了其工程约50%雇员在过去的两年里。

“所有的工作都是创造更多的模型和OPC层,穿过屋顶而发展的复杂性。运行时失控,但工程资源在大多数公司都保持不变。他们仍有相同数量的工程师有一个期望的会议安排在相同条件下的相同。这已经把很多责任放在工具提供商,”Bhatara补充道。

Manoj查柯、产品管理总监节奏认为,最重要的发展,集成电路掩模光刻技术近年来已从材料和软件实现增强。正是这种贡献是当今先进的关键推动者节点制造。

“光学光刻的灭亡已经被许多预测在过去的二十年里,我们继续进入新领域,”查柯说。“关键贡献者之一是使这个advanced-node 3月是基于软件的计算光刻技术。有一系列的技术名称和缩写词,出现简单地满足维持摩尔定律的经济可行性。的一些突出的技术我们听到或听过名字多模式(两倍,三倍或四倍),多重曝光,源和面具优化,像素化面具,逆光刻,等等。”

与延迟EUV-and甚至EUV-more先进计算光刻技术是必需的。“如果历史重演,我想说更多的进步会使光刻缩放和决定采用下一代光刻技术将受到经济因素而不是技术因素的影响,“查柯总结道。