标签:极端的紫外线光刻技术

衰减相移面具(attPSM) EUV(弗劳恩霍夫IISB)
通过技术论文链接- 08年7月,2022 -评论:0

新的研究论文题为“衰减相移面具:外卡极端紫外线光刻分辨率增强吗?,“从研究员Fraunhofer-Institut毛皮Integrierte Systeme和Bauelementetechnologie IISB(德国)。目标:“我们回顾发表研究衰减相移面具(attPSM) EUV特别强调建模和基本的理解……»阅读更多

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

制造业:11月9日
通过马克LaPedus- 09年11月,2020 -评论:0

开源EUV抵制计量保罗谢勒研究所(PSI)开发了一个开源软件技术的扫描电子显微镜(SEM)应用程序。技术是针对EUV抵抗计量。技术,叫做微笑(SEM-Measured图像估计行),是一个开源的软件技术,在扫描电镜特征线和空间模式。微笑是使用t…»阅读更多

如何扩展平比例
通过安Mutschler2月19日,2015 -评论:0

集成电路掩模(getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”]今天是复杂的和复杂的。这也是一项正在进行中的工作有很多未知的行业努力提高工作效率,同时减少风险。目前大部分的工作重点是试图找出什么是一个实际的计划模式光刻技术可以用于10 nm和7海里,说Gandharv Bhatara, Ca……»阅读更多

如果EUV失败呢?
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:2

业内最糟糕的保密,但极端紫外线光刻技术(EUV)可能会错过10 nm节点。因此,芯片制造商可能扩展和使用今天的193 nm浸没式光刻10纳米。当然,这需要一个复杂的和昂贵的多个模式方案。现在,芯片制造商正在制定7纳米光刻技术策略。现在的情况是,…»阅读更多

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