氮化镓也逐渐吸引各种各样的新市场随着成本下降和流程成熟。
我一直在谈论GaN硅好几年了,因为它提供了一种路径成本减少领导在硅半导体一样。今年在光子学西方2015年,德国爱思强公司股价呈现其下一代6英寸晶片系统的自动化半导体人希望能够建立氮化镓功率晶体管。
周围的系统被配置为集群工具自动晶片处理程序,和工厂自动化接口。他们可以处理6 x 150 mm晶圆在每个室,并包括一个内置的自动清洁晶片将成为兼容一样至关重要的硅晶圆厂。演讲者自信地断言,目前硅氮化镓质量区别传统的蓝宝石基板。
两院的集群,两个晶圆片吞吐量是一个小时,因此,尽管德国爱思强公司股价使氮化镓功率设备,硅光子学有一段路要走。线平衡所有其他流程步骤也是非常具有挑战性的大型晶片在这些吞吐量。系统可以运行4英寸晶片,这可能是一个更好的选择自动导致制造业。
在车展上的其他地方,元素六讨论的兴趣日益增长的人造金刚石GaN设备分离后生长基质。卓越的人造金刚石的导热系数是吸引力,和合成钻石不再是一个昂贵的特殊材料。蓝宝石衬底的成本在30%的体积意味着钻石可以用于消费产品,散热是有限的。
最后在Gan会话,Gan石墨烯是IBM的一个小组讨论的。根据作者,石墨烯是有趣的增长表面氮化镓的六角形排列sp2杂化碳原子(0001)类似c-plane甘。它被称为“Van de墙壁外延”。他们使用石墨烯作为增长层回收底层碳化硅衬底。
图1:增长示意图/转让单个水晶/从外延石墨烯薄膜。(一)碳化硅衬底外延石墨烯形成的石墨化。(b)的氮化镓外延生长石墨烯。(c)沉积压力层(Ni)。(d)释放的氮化镓衬底与处理磁带。(e)发布转让GaN / Ni /磁带栈底物。(f)的磁带和倪热释放和湿蚀刻,氮化镓薄膜。来源:今天的半导体。
怎么去讨论了高效发光二极管或250 lm w1的玛丽·克劳福德桑迪亚国家实验室。她确定三barriers-the损失效率高电流(下垂),效率低绿、光谱匹配的眼睛。从她的观点最有可能的解决方案是纳米棒与更大的有效面积和较低的电流密度,为绿色激光,纳米材料来调整发射波长为最佳匹配。我的看法是,模式创建议程上的纳米结构是先进的led。
automated-style硅III-Vs制造业的趋势仍在继续加速。普遍接受的分离氮化镓生长基质和篮板球的热沉是允许引入钻石。反过来,钻石使更高的功率晶体管和二极管。通配符是高效发光二极管产生更少的热量,所以热沉没可能突然少了很多的问题。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复