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技术论文

采用硅传感器和CMOS器件的单晶MPW芯片芯片级细化和集成路径

研究人员报告“柔性衬底上倒装芯片集成的模级细化”。

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摘要

“多项目晶圆(MPW)单模的模级细化、处理和集成通常用于柔性器件的研究、早期开发和原型设计。对薄硅器件有很高的需求,用于多种应用,如柔性电子器件。为了满足这一需求,我们研究了一种新的后处理方法,用于两个硅器件,一个电化学阻抗传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片。两者都是从MPW批次中提取的,在切丁和隔离后,在模具级进行稀释至60µm。减薄后的模具通过倒装芯片连接到柔性衬底上,并通过两种技术进行密封:金螺柱凸点的热超声连接和各向异性导电糊体(ACP)连接。通过功能测试评估了减薄模具的性能,并与原始模具进行了比较。此外,倒装芯片键合减薄传感器的长期可靠性被证明高于传统的线键合传感器。”

找到“用于柔性衬底上倒装芯片集成的模级细化”开放获取这里是技术文件。2022年3月出版。

马利克,M.H.;Tsiamis, a;Zangl h;粘合剂,a;密特拉,美国;柔性衬底上倒装芯片集成的模级细化。电子2022,11,849。https://doi.org/10.3390/electronics11060849

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