如何做一个三层CFET结构堆积作为候选区域扩展?
小说三层CFET结构提出了首次作为一个候选区域扩展。提出三层CFET积极栈一门经过逆变器形成半SRAM单元。集成流和全金属连接已经精心设计的功能和阵列组装。过程中使用的大多数球场的大约是40 nm, patternable使用193我得病的过程以减少模式成本和难度。我们还研究了寄生电容和电阻来评估设计的弱点提出结构。
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传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
球继续减少,但是需要新的工具和技术。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
埋藏特征和凹角几何图形驱动应用程序特定的计量解决方案。
蚀刻工具变得更特定于应用程序的,每个新节点要求更高的选择性。
技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
商业chiplet市场仍在遥远的地平线,但公司更早起有限的伙伴关系。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
半导体制造的关键支点和创新点。
工具成为硅/锗硅堆更具体,3 d NAND和保税晶片对。
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