测试interposer-based版本的堆叠死亡和未来版本使用在矽通过。
三维堆叠集成电路(3 d-ics)是由多个堆死,并被视为关键在帮助半导体产业跟上摩尔定律。目前的集成和互连方法包括wirebond和倒装芯片和已经在生产一段时间。
3 d芯片通过插入器连接在Xilinx生产,三星、IBM和Sematech [1]。插入器提供3 d的逻辑工业化的第一步。基于在矽通过(TSV)。新一代3 d集成了TSV之间的互连技术作为主要的方法死去。
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术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
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行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
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工具成为硅/锗硅堆更具体,3 d NAND和保税晶片对。
少低精度等于权力,但标准要求做这项工作。
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