支出总额预计将达到68美元。三星顶包,紧随其后的是台积电和英特尔。
半导体公司花更多的比以往任何时候都保持竞争力。2015年,总额为资本支出预计将花费687亿美元,从2014年的633亿美元增长了9%。这打破了2011年创下638亿美元纪录,如下图所示。
半导体资本支出总额,2009 - 2015
来源:Semico研究集团。
的前15名
约占总开支的90%是15家公司。前15家公司保持不变从2014年到2015年,他们的订单却有所变化。五大消费不足为奇,三星在榜首,紧随其后的是台积电。不寻常的是英特尔下滑到第三的位置。排在前5名,GlobalFoundries和海力士将铸造的地方,预计今年将增加支出22%与海力士的5%的增长。在前15名,公司增加最大的是索尼,207%增加到近20亿美元。这个增加的大部分是图像传感器产能扩张,但有些也将用于相机模块生产能力,一个相对较新的索尼市场。索尼的美元增加仅次于三星,但这部分是由于日元的价值下降。
2015年前15名消费者
来源:Semico研究集团。
一些亮点颜色数字:
# 1。三星的最新工厂宣布一项143亿美元的工厂(15.6万亿韩元)在5月7日破土动工仪式。并不是所有这些声明是新闻。该公司签署了谅解备忘录,计划2014年10月建立工厂。工厂将在2017年完成,初始生产上半年开始。这是加速时间比2014年10月宣布说,最初的行动是在2017年下半年开始。三星预计这工厂是该行业的最大的能力。网站规模790000平方米。公司与产品它打算使害羞的,说这是针对移动、服务器和物联网市场。这似乎意味着移动和服务器DRAM连同其他芯片(传感器?物联网的处理器?)。
# 2。台积电宣布2015年资本支出已经减少了10亿到108亿美元的中点。减少是由于“资本效率”通过更快的转换从20 nm 16 nm,允许增加16 nm能力虽然20 nm能力却降低了。
# 3:英特尔报告减少资本支出为2015到87亿美元的中点,这是比之前下降了超过10亿美元的前景。这是基于他们取得更好的收益和利用率。他们指出,这不是一个趋势的开始减少资本支出。一直没有提及工厂42岁的shell建于亚利桑那州2014年1月以来,一直在。
# 4:GlobalFoundries增加资本支出约10亿美元,几乎所有的向14 nm斜坡在纽约工厂。
# 11:中芯国际将增加两个新晶圆厂在2015年下半年。中芯国际资格40 nm和28 nm初始生产新北京B2工厂300毫米。它将能够运行完全配备设备时每分钟35000个字。中芯国际还在深圳增加每分钟20000个字8”能力。最初的每分钟10000个字将开始商业生产下个季度,和另一个每分钟10000个字将被添加到今年年底。坡道将延续至2016年,公司高管预计8”能力的持续短缺。中芯国际是总资本支出增加50%,至15亿美元。北京工厂,8亿美元将用于添加12”能力。另一个部分将用于扩大在深圳8”能力。
其他48
Semico的数据库中,有一个额外的48公司代表了“其他”类别总数的11%左右。关于这些公司的更多信息和更详细的前15名,请参阅Semico 5月IPI里克Vogelei报告或接触(电子邮件保护)。
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