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全封装半导体器件中硅晶片的x射线成像

来自密封x射线管的发散光束和准单色辐射可用于在实验室中进行XRDI翘曲测量。

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描述了完全封装的商用四平面无铅器件中硅模具翘曲的x射线衍射成像(XRDI)(形貌)测量。使用同步辐射,已经表明Analog Devices AD9253芯片中晶格平面的倾斜最初下降,但在100°C后,它再次上升。晶圆片上的捻度随温度的升高呈线性下降。在200°C时,倾斜随位置近似线性变化,即位移沿模具呈二次曲线变化。在冷却过程中翘曲近似可逆,这表明在封装前它具有简单的抛物面形状;复杂的倾斜和扭曲是聚合物固化过程的结果。报告的可行性研究表明,来自密封x射线管的发散光束和准单色辐射可用于在实验室中进行XRDI翘曲测量。由于x射线光学的几何结构,现有的工具存在局限性,导致仅适用于简单的翘曲结构。在复杂的翘曲情况下,例如在多个模具互连包中,需要进行必要的修改。”

查看这个开放访问技术论文在这里。公布的03/2021。

坦纳,B.,麦克纳利,P., &丹尼鲁斯基,A.(2021)。完全封装半导体器件内硅模的x射线成像。粉末衍射,36(2),78-84。doi: 10.1017 / S088571562100021X



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