硅的x射线成像在完全封装半导体器件死亡


文摘:“x射线衍射成像(XRDI)(地形)的测量硅片翘曲在完全打包商业扁平无铅设备描述。使用同步辐射,它已经表明,点阵平面的倾斜在模拟设备AD9253死开始下降,但在100°C之后,它再次上升。对面的捻死晶片线性下降的分辨…»阅读更多

检验、计量挑战为碳化硅生长


检验和计量正变得越来越关键的碳化硅(SiC)行业中迫切需要在当前和未来的SiC设备发现有问题的缺陷。发现缺陷为碳化硅设备一直是一个具有挑战性的任务。但它是越来越迫切需要找到杀手缺陷和减少他们SiC设备厂商开始扩大生产的下一波……»阅读更多

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