填补由建设必须正确,这意味着填补引擎和分析引擎集成,并遵守double-patterning规则。
杰夫·威尔逊和让-玛丽•深色
有许多重大变化要求设计,验证,和制造半导体20 nm制程节点(N20)。其中一个是填充。以前的设计节点,填补只是用来确保可制造性给每一层(金属、保利、扩散)公认的密度。在N20,填补用于解决更多的生产问题,并已成为高度复杂的(图1)。
图1所示。填补已成为高度复杂,并用于解决许多制造问题。
两个主要的新概念,填补在20 nm,尤其是对soc, 1)必须process-accurate, 2)它需要分级方法。
Process-accurate填补
填补工艺性的影响很多方面。必须correct-by-construction填补,这意味着填补引擎和分析引擎集成。它必须符合双模式规则,禁止沥青要求,使用细胞process-validated填充模式、timing-aware。鉴于制造业紧缩的情况,填充为前端后端层和层只能靠foundry-certified填补效用,需要填充规则甲板和填补N20过程的软件程序设计。没有办法在这个事实。铸造厂期望你们GDSII的充满foundry-certified填充工具,已开发的锁与生产流程。
考虑到新填的复杂性和重要性,铸造厂想简化填满。以双重模式:为填充层,双模式降低了制造业变化平衡发出的光通过掩模,设计水准腐蚀的影响。foundry-certified填补甲板和软件使double-patterning分解透明。的复杂性隐藏在新规则的数量需要填补,合并后的填充/分析过程来减少填满整个设计团队的影响。
改变填充方法
一影响foundry-certified填充工具不能隐瞒你涉及到更改填充方法需要在N20 soc。在过去,填补了当时的芯片组装,然后整个布局。地点和路线工具通常添加了一些填充块SoC组装之前,但这填补充当一种占位符来帮助估计密度和时间/功率的影响。它通常被剥除,所以更准确的填写可以添加在最后全芯片验证和验收的步骤。
这个平面流,填补了顶层设计,是过去的事了。为什么?因为不断增长的设计尺寸。N20,我们预计设计尺寸的1000亿到2000亿个晶体管,我们希望用更多的填充,以满足生产需求。考虑一下:对于大型soc N20,填补后设计尺寸的5 x预填充设计尺寸。这是一个很多填补。处理这么多数据的唯一方法是首先完成填补每一块在设计之前顶级填补。
这个分层流,块级填补做过顶级填补,有管理和运行时是唯一的解决方案。在分层流,顶级填补intra-block地区,和接触块级填补一旦块被认为是顶级的上下文。导师的填充技术,称为SmartFill,地址填不见得只是基本的最小和最大密度限制,但也更高级的梯度(密度差在临近的窗户)和大小(windows的密度差设计)的约束。SmartFill也平衡需要满足的约束,同时最小化的地区没有装满最小的寄生的影响。SmartFill能够达到这种平衡,减少时间的影响通过阅读列表的关键网所以避免干扰的性能通过调整间距填补形状围绕这些网在横向和纵向两个方向。
最后需要注意的一点是在填补方法,填补解决方案应该很容易集成到现有的设计流程。SmartFill,例如,是一个口径的产品,所以它塞到任何现有的口径流。它还能读和写多个设计数据库(如LEF / DEF、开放和)中,确保你的填满流将与任何主要的设计实现流程。阅读能力允许填充引擎使填充位置决策(基于信号的类型和时间关键的),而编写功能使您能够验证设计填写验收时间流。
-Jean-Marie深色是平友好设计的产品营销总监(最晚完成日期)和Design-for-Manufacturing (DFM)产品在导师图形公司。
号威尔逊是一个DFM产品营销经理组织导师图形的口径。
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