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白皮书

晶圆级密实成型填充不足高密度扇出包

实验和模流仿真结果紧密的晶圆级塑造未充满的过程与高密度扇出测试车辆使用wafer-level压缩成型过程。

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在这项研究中,实验和模流仿真结果提出了一个紧密的圆片级型填充不足(WLMUF)过程与高密度扇出(HDFO)测试车辆使用wafer-level压缩成型过程。再分配层(RDL)首次提出技术应用与小模数RDL的3层结构。测试样本由11.5 x 12.5平方毫米死高铜(铜)柱子周围的死。显然破坏性分析被用来检查MUF空洞在整个晶片区域。型晶圆是地面凹凸区域MUF空洞存在使用模具磨床和MUF空洞通过高分辨率的检查范围。

WLMUF特征的传统压缩成型工艺与各种环氧模塑料(EMC)类型进行了调查。一个紧密的WLMUF过程是通过应用一个EMC配制方法和参数进行了优化。这些结果通过模流仿真验证,相关实验结果。最后,紧密的WLMUF HDFO通过可靠性测试样品的温度循环(TC),高温存储(高温超导)和无偏高加速应力试验(UHAST)防潮性测试后(捷运)三级。

InSu Mok, JaeHun Bae WonMyoung Ki, HoDol柳SeungMan Ryu, SooHyun Kim GyuIck荣格,TaeKyeong黄,WonChul安靠韩,Inc .)

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