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这是450 mm晶圆是什么样子

450毫米晶圆图案与浸没式光刻技术在半导体西方2014年。

受欢迎程度

第一个完全的450毫米晶圆半导体西2014年南大厅展出,也展示了450毫米的技术开发。完全的450毫米晶圆生产使用分子印记”Imprio nanoimprint光刻(NIL)工具已被证明之前(包括半ISS会议上2013年1月)。不过,展出的450毫米晶圆半导体西方用尼康193浸扫描仪,这是首次使用传统的光刻工具目前在300 mm晶圆生产。

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的第一个全面的450毫米晶圆生产使用常规193浸没式光刻技术。

“这些前450 mm晶圆是实实在在的证明该行业的过渡到下一代技术有望获得动力,”保罗·法勒说,纽约州立大学CNSE Jr .)副总裁/ SUNYIT G450C和通用汽车。尼康浸没式扫描仪将加入现有450毫米基础设施在奥尔巴尼纳米技术复杂的2015年4月按照项目时间表。这个关键的里程碑将使G450C创始成员和CNSE执行10纳米以下,整片光刻,配置和性能优化工具。

2013年7月,CNSE / SUNYIT和尼康签订了一份3.5亿美元的合作开发下一代光刻技术。在不到12个月,该伙伴关系带来了在线首开先河的浸没式光刻扫描仪。“尼康很高兴取得了这个重要的里程碑,我们专注于这个项目的下一阶段开始,尼康公司的Toshikazu Umatate中尉说。“450毫米扫描器的开发进展目标交付性能和生产力创新,将降低成本每死,这对摩尔定律的延续至关重要。“到目前为止,超过3.5亿美元的450毫米晶圆工具已经安装在奥尔巴尼纳米技术复杂。与尼康的到来浸没式光刻工具,投资将增加到超过7亿美元。

450毫米过渡论坛
倡导全球副总裁乔纳森•戴维斯半,拉开了450毫米过渡论坛活动,并欢迎主持人- Dan Hutcheson (VLSI);哈米德Zarringhalam(尼康精度);保罗·法勒、弗兰克·罗伯逊和Pinyen林(G450C)和观众。突出了下面的会话。

450毫米和“摩尔的墙”
g . Dan Hutcheson的VLSI董事长兼首席执行官,下一个“450毫米和摩尔的墙上。“Hutcheson讨论倾向于认为450毫米和扩展独立当他们非常互联。晶体管消费他说,如果经济增长继续保持稳定(如已自1970年以来)然后如果扩展的速度放缓的面积硅消耗增加,因为“这是简单的数学。”他说,如果我们假设摩尔定律延伸到四年的时钟周期,“你需要更多的硅。“你需要建造更多的晶圆厂。两摩尔的时钟速度,2025年是1.4 nm节点生产坡道,但在四年,资本支出/销售率将超过30%,这将很快成为昂贵和不可持续的。

Hutcheson——VLSI MooresLawSlowing
Hutcheson说,“物理将构建摩尔定律…如果经济不,“虽然现在不需要450毫米,它需要后提取利润的价值。

450毫米技术开发:G450C视角
保罗·法勒,通用汽车的全球450强财团(G450C)提出“450毫米的技术发展。“法勒G450C工业通用接口和程序策略为基础的纳米科学与工程学院在奥尔巴尼,纽约。

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资料来源:G450C, 2014年法勒——G450C Developmt&TechInterceptTargets

法勒说,工具演示开发仍在继续与所有供应商积极G450C项目设在CNSE在奥尔巴尼,纽约。联盟的目标是有一个完整的大约60到2016年过程和计量工具。法勒说,工具正在开发sub-10nm技术相比14 nm准备爆发的最初目标识别程序。

法勒——G450C G450C FAB_LayoutUpdate

法勒报告工具的安装状态,说明29工具要求站控制器(tMSP)在G450C楼。

他还报道了450毫米晶圆片库存和薄膜应用设备性能数据。G450C有库存11500晶圆的工具开发和资格。

法勒——G450G G450C_Operations

450毫米光刻技术发展更新:尼康的视图
哈米德Zarringhalam,执行副总裁,尼康精度,提出了先进光刻技术的发展,指出动机下晶圆尺寸过渡存在——经济和创新的机会。他认为,“450”的动机是对经济学与模具成本节约30%,与创新的机会。他谈到了在300毫米的教训:产业集中和管理所需的成功转型;研发投资必须优化和共享整个链;避免错误的开始有300毫米经验;使工业时间势在必行。

Zarringhalam mmeconomics&tech NikonPrecision——450

Zarringhalam预计450毫米开发成本与回报约140亿美元发生超过一段时间。他引用的例子波音梦幻客机787架飞机,预计采取22年完全恢复的开发成本。Zarringhalam表示,一个假定的行业增长率为3.8%,450 mm晶圆半导体产业转型是analagous波音飞机的场景。因此,他认为,行业必须从长计议。他强调,共识和承诺HVM开始是最重要的——应该做“很快”拦截“十年”的后半部分完好无损。他认为有效的管理是至关重要的在平衡风险和回报,协作和G450C是至关重要的。

450毫米平准备通过ArF浸没式扩展,平必须同时满足缩放和晶片尺寸过渡要求:

  • 生产力(m2 /人力资源> 300毫米)
  • 成本(优化的足迹
  • 性能:叠加,成像,专注和defectivity满足积极扩展的路线图

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根据Zarringhalam,尼康创新浸扩展将满足光刻过程的需求无论晶片大小。当有人说,受益于450毫米光刻是有限的,尼康认为有巨大的创新机会。

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尼康450毫米项目按计划进展。客户订单是在地方和几个工具正在制造工厂。450毫米光刻图案的晶片已经在这里,模式450 mm晶圆从尼康G450C熊谷设施如期启动。尼康450毫米浸没式扫描仪将船奥尔巴尼时间2015年4月。

设备性能指标(EPM)更新计划
和通用汽车副总裁弗兰克·罗伯逊G450C,报告项目设备性能指标的修正和450毫米工具演示的里程碑。他强调行业协调、协作和标准化工作等信息共享与欧洲450 mm设备及材料计划(EEMI450)计划,讨论CMP浆料与硅-萨克森公司回收,进行EHS /设施配合设施450财团(F450C)和开发各种半450毫米的标准。

罗伯逊——G450C Sub-10nm

罗伯逊说,“随着G450C sub-10nm战略的,人们可能会问如果示范试验方法(DTM)模型是妥协。好消息是,DTM模型中没有任何改变。与

工业Notchless过渡到450毫米晶圆
Pinyen林博士G450C腐蚀工程主管,同时也提出了450毫米技术开发会话。他是球队领先全行业开的标准化notchless晶圆和设计定位框标。林回顾了450 notchless晶片的进展,从工具供应商请求评估notchless晶圆2012年11月和半成员表达许多notch-related问题:压力、对称、不均匀性、复杂的工具部分,边缘排除。建立了一个工作组,安排在2013年2月在G450C定义。

第二阶段测试结果(包括2013年11月到2014年2月):9框标3种不同测试晶片;验证基准设计理念以适应所有工具需求(如平、计量、处理和处理工具);并选择最后3框标基于测试结果。最后一组的定位框标2014年3月被选中。投票周期4半北美会议上被批准在2014年4月投票接受100%验收委员会批准;M1预计在半导体通过欧洲标准。

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来源:半;G450C

接下来的步骤是什么?林表示,notchless转变开始于2014年7月。G450C将为供应商提供450 mm晶圆与新定位框标和供应商应该期待一些工具修改notchless晶片在2015年初开始。其次,少量的纯450毫米notchless晶片将用于工具发展到2014年底。最后,供应商应该继续与其他半标准(坐标系统简化,1.5毫米EE, M76,等等)。

有关450毫米的更多信息,请访问450年中央



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