英特尔的铸造首席退休;应用的结果;3 d NAND;3 d ssd。
Sunit Rikhi,技术和制造集团的副总裁英特尔和总经理英特尔的定制铸造单元已经退休了。“我离开英特尔在3月底休假,6月1日结束我的职业生涯与英特尔“Rikhi在一封电子邮件中说。
现在,Rikhi已经开始一个新的公司。该公司称,伸手无穷有限责任公司”,是一个管理发展公司致力于帮助经理工程师自己的领导能力和增长方式没有限制。“他是创始人在无穷。在他的新公司,他将提供以下服务:公共演讲;个人和团体辅导和高管管理;研讨会首先,中层和行政管理;和定制的咨询项目。
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应用材料报告了第三季度的结果7月26日,2015年结束。第三季度的订单为28.9亿美元,环比增长15%,同比增长了17%。净销售额为24.9亿美元,环比增长2%,同比增长10%。“管理指出,本季度订单会被高8400万美元如果不是因为订单取消(由)铸造,”韦斯顿Twigg说,分析师Pacific Crest Securities的在一份报告中。“我们也注意到本季度退出两个太阳能应用领域,晶片看到和植入物,表明该公司愿意削减诱饵和关注更有利可图的机会。”
应用3 d说NAND业务强劲,但铸造是弱。“应用材料表明,铸造需求变得更糟的是在过去的几周,指责更高的设备重用率,提高产量和库存过剩,“Twigg说。“直到铸造和英特尔需求改善,预期的阻力。我们担心铸造需求疲软是由于终端市场疲软,这可能会持续几个季度。更糟的是,如果16/14nm坡道慢下来,和10 nm能力仅限于小明年试点行,铸造2016年资本支出可能会下降。我们也预计明年英特尔资本支出仍将保持低位之际,它最大化设备重用低PC需求。”
执行副总裁Randhir Thakur应用材料,已经辞职据提交给美国美国证券交易委员会(SEC)。Thakur离开应用预计将发生在约10月30日,2015年。
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在本周的闪存峰会上,三星电子推出了新的3 d NAND芯片。最新的设备是一个256 -千兆芯片基于48-layer 3-bit multi-level-cell(多层陶瓷)技术。
三星新V-NAND芯片利用相同的3 d电荷陷阱前芯片flash (CTF)结构。细胞的新芯片利用数组,它是垂直堆放48-storied质量。它通过18亿通道孔电连接。总的来说,每个芯片包含超过853亿个细胞。他们每个人都可以存储3位的数据,导致2560亿位的数据。
这些设备将用于三星的固态存储硬盘(ssd)。主席Young-Hyun君记忆在三星电子业务,说:“三星V-NAND充分利用的功能,我们将扩大我们的高档商业企业和数据中心市场,以及在消费市场,同时继续加强我们的战略SSD的焦点。”
在一个相关的声明中,三星也增加三个新的ssd基于其3 d NAND芯片。第一个SSD, PM1633,旨在满足串行连接的要求基于SCSI (SAS)接口的系统。2.5英寸,12 gbps (Gb / s) SAS SSD将提供480 Gb, 960 Gb, 1.92 TB结核病(TB)和3.84版本。
第二个SSD是PM1725。针对下一代企业存储市场,PM1725半高,半身像(HHHL)卡片类型NVMe SSD。它有3.2结核病或6.4 tb的存储容量。不甘示弱,三星是引入一个更新的行业首个NVMe SSD M.2形式因素。NVMe接口和可用的新PM953 M.2和2.5英寸的形式因素。
“我们提供高端功能和能力为我们所有的最新的ssd,我们相信会得到高度的oem和计算机的兴趣爱好者在世界各地,”吉姆•艾略特表示,公司副总裁,三星半导体。
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在世界范围内硅片面积出货量增长在2015年第二季度,相比第一季度出货量根据领域半硅制造商集团(SMG)。
Sarvint技术已经完成了第一轮融资的进一步发展和商业化所谓的“可穿的主板”技术。600万美元的投资是由CTW合资公司合作伙伴与参与Monta Vista资本和马克西姆公司。Sarvint也进入了战略联盟马克西姆集成产品公司Sarvint产品市场。
中国的艰难的投资继续使进步的收购的硅集成解决方案公司(张明)。张明也完成了在台湾子公司的内部重组,被称为Chingis技术。张明已经进入一个处理联发科以2710万美元的价格出售Chingis。
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