经过近二十年的承诺,多模式似乎可能的赢家。现在怎么办呢?
当台积电本周披露——一个公共论坛,其生产EUV光刻测试没有在一个早期的测试运行由于电源问题,有不同的反应。EUV,毕竟是一个情感问题和数十亿美元的投资,并创造了大量就业岗位骑在这项技术。
首先,有通常的旋转控制。消息基本上是,这只是一个打嗝和修复将即将在不久的将来。ASML和台积电声称故障是由于仅仅是一个工具设置问题。也有反对者,他们多年来预测,这种方法不会工作,现在可以拍拍自己的哪一位。还有另一种工具厂商安静的坐在一旁,祈祷,真正打破在平的世界。
真正的答案可能是:它们都是正确的-全错了。与任何复杂的技术,没有简单的答案。在前沿,这是最重视,EUV可能确实错过了它的市场窗口。线宽降至7海里,EUV可能已经过时了。未来可能会有定向自组装或其他外来技术,多年来一直被忽视的斗争中得到EUV工作。
可以肯定的是,EUV是一样复杂的技术冷聚变。工作的人在一个电源,一个适于生产的版本的EUV由任何标准才华横溢,他们英勇地犯下了很大一部分职业生涯做这个工作。他们更接近现在比几年前,大概的奖励会在半导体生产10 nm, 14/16nm甚至20纳米线宽度。最大的体积是总是老的节点,一个通过一束光,而不是多遍,多模式会对降低成本和缓解多年来制造问题。
然而,这种技术可能不具有相同的最先进的流程节点上的积极的影响。线宽度越来越太小甚至EUV-at至少与单一的模式。而使这一技术成为可能的人应该为他们的努力鼓掌,现实情况是,下一代的搜索需要继续在EUV光刻技术。
也许最大的赢家,尽管不是光刻,。的其他方法,冷淡而行业看到的结果EUV等待。特别是死亡堆积,期间一直停滞不前而EUV得到所有的注意力。有趣的是2.5 d和3 d是福利的公司,不仅few-everything从测试材料,先进的工具来测量热影响,压力的影响,不同的布局选项,甚至奇异的硅光子学等新技术和微流体。
EUV将扮演一个角色,无论未来会发生什么。但随着一系列公开错过最后期限和持续问题涉及商业可行性,有怀疑它single-handledly上升可以拯救摩尔定律,因为我们知道它。光刻是这么复杂,即使是最聪明的头脑,资源充裕,最好的工具和技术,不能满足最后期限了。鉴于此,可能是时候开始以不同的方式思考未来。
使我想起了我的第一次会见的创始人Cymer,当我告诉他们他们追逐不可能实现的梦想,他们应该切换到医学应用准分子激光。当然,我是大错特错了,所以是艾德!他们会让EUV工作!
请定义“工作”。你说10点WPH, 50%的时间,让偶尔在光栅削减?好吧,我想你可能是对的。
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一个大问题对EUV问题也相互争斗。例如,源电力需求不断增加,每一代抗散粒噪声、但这恶化抵制出气。更高的分辨率会导致更高的NA工具,但这需要新的多层优化更大的角度,和可能改变缩小光刻工具,导致更大的面具(9)或缝合类型曝光(也放缓下来,多重曝光)。薄膜将保持面具清洁在接触,但对EUV他们吸收和加热问题。
固定曝光意味着(EUV DUV,电子束)最终减慢,多个模式需要变得更加高效,不仅重复曝光。一个常见的方法是隔离模式,但最近定向自组装(DSA)已经变得相当热,少的步骤可能需要重复间隔器。
我想起对海温,尽管一些实际上进入商业服务。不会太久,不是很多。就像EUV。谁更名为软x射线投影光刻(SXPL)应该得到诺贝尔奖恶作剧或绘制和住宿。