标签:TunnelFETs

改善电气性能和p型TFET低频噪声的特性
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“高压D2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET“忠南国立大学和韩国研究人员发表的理工大学。“这项研究调查的影响高压氘(D2)退火和氢气(H2)退火的电气性能和低频噪声(LFN)完全耗尽silic……»阅读更多

寻路FinFETs之外
通过波拉多伊- 13,2016 -评论:0

尽管行业可能会继续想办法进一步扩展CMOS finFET技术比我们想象的可能,在不远的将来,使更快,低功率集成电路将需要更多的颠覆性变化。的东西,可能只有5至7年,有一个令人生畏的竞争技术的范围。通过过程将帮助改进,从E…»阅读更多

我们必须教导芯片感到疼痛
通过Imec- 9月17日,2015 -评论:0

由Guido Groeseneken当我是一个博士学位的学生在1980年代有很多野生猜测摩尔定律:给它另一个10年,晶体管将停止越来越小,他们说。但最终,工程师们的创造力是大于的悲观预测。然而今天我相信我们即将结束的摩尔定律....»阅读更多

问题和选项5海里
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:0

在铸造厂加大他们的流程为16 nm / 14 nm节点,供应商也忙于开发技术10 nm和超越。事实上,芯片制造商正在敲定10 nm制程产品,但他们仍然重7海里的技术方案。如果这还不够,IC制造商开始看选项5 nm和超越。今天,芯片制造商可以看到一个p…»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

所有的指标都预示着北
通过埃德·斯珀林- 6月28日,2012 -评论:0

设计和生产芯片一直是困难的,但是东西合起来难度的数量在20纳米半导体行业的历史上最长的。列表越来越长还会在14海里以外,更不用说那么贵,一个错误会杀了一个公司。虽然系统工程师和建筑师看在前端的挑战,这些问题……»阅读更多

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