中文 英语

标签:TDDB

3D-IC可靠性随温度升高而降低
通过安Mutschler- 2022年12月14日-意见:0

3D-IC设计的可靠性取决于工程团队控制热量的能力，热量会显著降低性能并加速电路老化。虽然至少从28nm开始，热就一直是半导体设计中的问题，但在3D封装中处理热问题更具挑战性，因为电迁移可能会在多个层面上扩散到多个芯片。“是…»阅读更多

高级节点IC应力影响可靠性
通过安Mutschler- 2022年12月8日-评论

热诱导应力现在是晶体管故障的主要原因之一，随着越来越多不同种类的芯片和材料被封装在一起用于安全和关键任务应用，它正成为芯片制造商的首要关注焦点。造成压力的原因有很多。在异质封装中，它可能源于由不同材料组成的多个组件。“这些药物……»阅读更多

半导体老化的原因?
通过布来安梅奥- 2022年2月8日-评论:6

半导体技术已经发展到没有人能认为芯片会永远存在的地步。如果不仔细考虑，老化会缩短IC的寿命，低于预期应用的需要。技术圈对老化进行了很好的研究，但其他不太直接参与的人可能在一般层面上理解这是一个问题，但原因并不总是那么明显。那到底是什么…»阅读更多

检查，测试和测量碳化硅
通过帕特里克Waurzyniak- 2021年10月12日-评论:0

实现汽车行业严格的零缺陷目标，正成为碳化硅基板制造商面临的一大挑战。随着碳化硅基板从150毫米晶圆迁移到200毫米晶圆，并将重心从纯硅转移，碳化硅基板制造商正努力实现足够的产量和可靠性。碳化硅(SiC)是硅和硬质合金材料的结合体，它已成为制造面糊的关键技术。»阅读更多

使用分析来减少疲劳
通过安妮Meixner- 2021年1月12日-意见:3

硅供应商正在使用自适应测试流程来降低老化成本，这是阻止高级节点和高级封装成本增加的众多方法之一。没有人喜欢手机在购买后的第一个月内出现故障。但是，当数据仓库服务器或汽车中的关键组件出现故障时，问题就更加紧迫了。可靠性期望……»阅读更多

处理高级节点设备老化问题
通过安Mutschler- 2020年9月10日-评论:0

在高级节点，电路的过早老化正变得越来越麻烦，因为新的市场需求、来自热的更大压力以及由于密度增加和介质更薄而导致的更严格的公差越来越复杂。在过去，衰老和压力在很大程度上是分开的挑战。由于种种原因，这些界限开始变得模糊。其中包括:汽车、高级节点……»阅读更多

自动驾驶汽车还有很长的路要走
通过埃德·斯珀林- 2020年8月11日-评论:0

完全自动驾驶汽车上路可能还需要很长时间。即使是半自动驾驶汽车也表现不佳。美国汽车协会(American Automobile Association)驾驶配备主动驾驶辅助系统的汽车行驶了4000英里，平均每8英里就会出现问题。AAA列举了一系列问题，包括驾驶时离其他汽车或护栏太近，刹车太猛，自动转向会使汽车和汽车相撞。»阅读更多

提高GaN和SiC的可靠性
通过马克LaPedus- 2020年6月18日-评论

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的供应商正在推出下一波具有一些令人印象深刻的新规格的产品。但在这些设备被纳入系统之前，它们必须被证明是可靠的。和以前的产品一样，供应商很快就指出，新设备是可靠的，尽管偶尔会出现一些问题……»阅读更多

使用Eldo解决IC可靠性问题
通过Mentor是西门子旗下的企业- 2019年5月1日-评论:0

先进的短几何形状CMOS工艺容易老化，随着时间的推移，会导致集成电路(ic)性能下降的主要可靠性问题。导致老化的降解效应除了正偏置温度不稳定(PBTI)和时间依赖性介电击穿(TDDB)外，还有热载流子注入(HCI)和负偏置温度不稳定(NBTI)。下面……»阅读更多

工艺变化与老化
通过安Mutschler- 2019年1月17日-评论:0

《半导体工程》杂志与ANSYS半导体业务部门首席技术专家João Geada坐下来讨论设计可靠性和电路老化问题;Hany Elhak, Cadence定制IC和PCB组的产品管理总监，模拟和表征;弗劳恩霍夫EAS高级物理验证的Christoph Sohrmann;以及M公司销售副总裁纳西尔·汗……»阅读更多

←老帖子

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu