如何处理各种各样的问题,会导致早衰的电路。
先进,short-geometry CMOS过程受老化导致主要的可靠性问题,降低集成电路的性能随着时间的推移(ICs)。退化导致老化影响热载流子注入(HCI)和负偏压温度不稳定性(NBTI),除了正偏置温度不稳定性(PBTI)和含时绝缘击穿(TDDB)。低于90海里,考虑这些影响成为设计强制流动目标质量和可靠性。介绍了先进的模拟流可以帮助设计师解决这些问题并创建更可靠的设计。
这些特殊的可靠性影响修改晶体管的基本行为,如阈值电压(Vth)和流动性因素[1]。没有充分利用过程性能的应用程序是真正安全的。这些变化将影响时间延迟,驱动电流,漏电,线性,和每一个可能的规范,可能出现在集成电路设计、汽车、生物医学、军用航空部门,无线通讯,或视频。基本上,所有行业都可能受到影响。
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