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标签:InGaAs

制造业:6月15日
通过马克LaPedus- 15,2021 -评论:0

下一代射频信号处理器桑迪亚国家实验室已经采取措施实现声波放大器的发展,这一技术有一天向期待已久的微型射频信号处理器铺平了道路。研究人员已经开发出压电声学设备使用声表面波(看到)技术和证明它有能力制造这些设备。还我…»阅读更多

制造下一代通道材料
通过迈克尔·瓦茨- 05年10月,2015 -评论:0

IC开发人员面临的挑战之一是改变通道材料增加晶体管流动性。但是生产呢?led样式外延可以迁移到大容量硅制造吗?“通用电气和InGaAs量子井的使用是一个扩展当前紧张的Si策略,”亚伦说中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内,副总统的过程技术和日志的主任……»阅读更多

仍在等待III-V芯片
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:0

多年来,芯片制造商一直在寻找一种替代材料来取代传统的硅渠道先进CMOS设备7海里。有很好的理由:在7海里,硅频道可能会失去动力。直到最近,芯片制造商都指望III-V材料渠道,至少对场效应电晶体。与硅相比,III-V材料提供…»阅读更多

新的挑战Post-Silicon通道材料
通过凯瑟琳德比郡- 2月21日,2014 -评论:1

为了将替代材料进入CMOS主流频道,制造商不仅需要单个晶体管设备,但完全可制造的流程流。工作在最近的IEEE会议(华盛顿特区电子设备12月9 - 11日,2013年)表明,大量的工作有待完成几乎所有方面的流程。第一个也是最重要的是,这是通过…»阅读更多

未知生长硅后的列表
通过凯瑟琳德比郡- 07年2月,2014 -评论:3

正如前面所讨论的在本系列中,大多数提议的替代渠道计划取决于锗pMOS晶体管、渠道和InGaAs渠道nMOS晶体管。两种材料,InGaAs提出了更困难的集成挑战。已经出现在先进的硅锗几个技术互补金属氧化物半导体晶圆厂代,已经介绍了用于应变硅…»阅读更多

锗wedge-FETs撬不适应环境的混乱
通过凯瑟琳德比郡1月23日,2014 -评论:1

任何替代渠道集成方法必须考虑硅和其他通道材料晶格不匹配。一些计划,比如IMEC的选择性外延,认为晶格失配一个障碍,寻找方法来减少它的影响。这种观点肯定有优点:不合群混乱显著降低晶体管性能。然而,早在2011年Shu-Ha……»阅读更多

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