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标签:日立高科技公司

计量的薄抵制高NA EUVL
通过新星- 2022年11月16日-评论:0

的限制高数值孔径的极端紫外线光刻技术(高NA EUVL)抵制厚度有关。事实上,从当前的后果之一0.55 0.33 NA NA(高NA)是景深(景深)。此外,抵抗特性线间距缩小到8海里一半,有必要限制比例,以避免模式崩溃。T…»阅读更多

调查:2022深度学习应用
通过eBeam倡议3月- 16,2022 -评论:0

2022个成员的深度学习项目和产品列表,eBeam成员正在晶圆半导体制造的光掩模。参与公司包括效果显著、佳能、荷兰阿斯麦公司CEA-LETI, d2,弗劳恩霍夫ipm,日立高科技公司,imec, NuFlare技术,西门子工业软件有限公司;西门子EDA,意法半导体,TASMIT。点击这里查看苏……»阅读更多

深度学习(DL)应用在光掩模半导体晶圆制造
通过eBeam倡议——3月17日,2021 -评论:0

调查:2021深度学习eBeam计划成员的应用程序列表的列表当前深度学习的努力被用于晶圆半导体制造的光掩模。例子来自ASML, d2,弗劳恩霍夫ipm,日立高科技公司,imec,西门子工业软件,公司,西门子EDA,意法半导体,TASMIT。发表的eBeam倡议Membe……»阅读更多

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