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标签:氮化镓

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

HBM，纳米片fet驱动x射线Fab使用
通过劳拉·彼得斯- 2022年3月8日-评论:0

布鲁克x射线业务副总裁兼总经理保罗·瑞安(Paul Ryan)与半导体工程公司(Semiconductor Engineering)坐下来讨论了x射线计量技术在制造业中的应用，以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料凹凸质量。SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说，推动你们技术发展的关键因素是什么?Ryan:一个b……»阅读更多

中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
通过技术文件链接- 2022年2月4日-评论:0

摘要:“宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们的性能比…»阅读更多

GaN功率半片的检测与测试
通过帕特里克Waurzyniak- 2022年1月11日-评论

随着对新型汽车纯电动汽车(bev)需求的升温，汽车制造商正在寻找解决方案，以满足功率半导体严格的零缺陷目标。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽带隙功率半导体为汽车制造商提供了一系列新的电动汽车解决方案，但如何满足汽车行业严格的质量目标仍是一个问题。在t…»阅读更多

GaN应用基础扩大，采用增长
通过帕特里克Waurzyniak- 2021年12月16日-意见:0

氮化镓(GaN)由于其宽带隙，能够实现快速充电，非常高的速度，并且比硅基芯片小得多，开始在广泛的功率半导体应用中出现。与碳化硅(SiC)不同，GaN是一种横向器件，而不是垂直器件。GaN的最高电压约为900伏，这限制了它在…»阅读更多

加速SiC和GaN
通过安Mutschler- 2021年12月13日-意见:0

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在电力电子产品中越来越受欢迎，特别是在汽车应用中，随着产量的扩大，降低了成本，并增加了对更好的工具的需求，以设计、验证和测试这些宽带隙器件。SiC和GaN在电动汽车的电池管理等领域都被证明是必不可少的。他们可以处理很多…»阅读更多

创新技术推动新5G产品、服务和商业模式的快速部署
通过布伦丹法利- 2021年12月2日-意见:0

无线的未来是关于开发最引人注目的产品，使用先进技术的组合来最大限度地提高系统性能，同时优化成本和功耗。这样做将为移动运营商和整个5G生态系统(从企业到消费者再到经济)部署新的5G产品和服务。5G提供了如此大的潜力，该行业如何能…»阅读更多

苹果首款GaN充电器
通过斯蒂芬·罗素- 2021年11月18日-评论

这几年来，坊间一直有很多传言和期待，但我们终于看到苹果公司在他们的一款充电产品中改用氮化镓(GaN)作为电源晶体管:新款16英寸MacBook Pro的140w充电器。就像过去的许多创新一样，苹果可能不是第一个，但当他们采用一项技术时，人们就会注意到!一个……»阅读更多

功率/性能位:11月2日
通过杰西·艾伦- 2021年11月2日-评论:0

来自香港科技大学(HKUST)的研究人员正在努力增加宽带隙氮化镓(GaN)电子产品的功能。GaN经常用于电力电子产品，如电源转换器和电源。然而，氮化镓CMOS技术一直受到p通道晶体管和集成电路实现困难的制约。»阅读更多

碳化硅竞赛开始
通过帕特里克Waurzyniak- 2021年9月20日-评论:0

碳化硅(SiC)越来越多地应用于各种汽车芯片，这已经达到了一个临界点，大多数芯片制造商现在都认为它是一个相对安全的赌注，引发了一场争夺，并将这种宽频带隙技术推向主流。碳化硅在汽车领域的应用前景广阔，特别是在纯电动汽车领域。它可以扩展…»阅读更多

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