标签:finFETs

从Cell-Aware Device-Aware测试开始了
通过劳拉·彼得斯- 06年6月,2023 -评论:0

使用device-aware测试替代记忆的早期结果显示扩展的测试覆盖率,但是这仅仅是开始。一旦半导体行业意识到它正在遭受设备失败,即使测试程序故障覆盖率达到了100%,它对解决这个脱节的缺陷表现在设备和常用的故障模…»阅读更多

设计师需要了解棉酚
通过布莱恩•贝利4月- 13,2023 -评论:0

而只有12岁,finFETs达到线的结束。他们正在取代gate-all-around(棉酚),从3 nm[1],预计将产生重大影响芯片是如何设计的。砷化镓今天有两个主要的种——nanosheets和纳米线。对nanosheets有很多困惑,nanosheets和纳米线之间的区别。行业仍…»阅读更多

什么数据中心从汽车芯片制造商可以学习
通过安妮Meixner- 11年4月,2023 -评论:2

汽车oem要求半导体供应商实现几乎不可测的目标10每十亿(DPPB)有缺陷的零件。是否这是现实还有待观察,但系统公司正在效仿,为他们的数据中心soc水平的质量。建筑质量水平是更昂贵的,尽管最终可以节省成本而不得不……»阅读更多

自热扩散问题
通过布莱恩•贝利3月- 13,2023 -评论:1

与每一个新节点有额外的物理效果,必须考虑,但不是全部相同的临界水平。一个被更频繁地提到是自动加热。所有设备消耗功率,当他们这样做,它就变成了热量。“从本质上讲,所有活动设备产生热量随着运营商移动,为当前通过盖茨创造渠道,“说…»阅读更多

周评:半导体制造、测试
通过凯伦·海曼2023年2月- 10(-评论:0

芯片消费设备,但整个芯片行业正在积极准备下一阶段的增长。全球硅片出货量,一个聚合的各种半导体领域,2022年再创新高,增加4%至147.13亿平方英寸(MSI)。晶片收入,与此同时,同期增长9.5%至138亿美元,半报道……»阅读更多

筛查沉默的数据错误
通过安妮Meixner2023年1月- 10 -评论:0

工程师们开始理解沉默的原因数据错误(sd)和数据中心故障原因,这两个可以减少通过增加测试覆盖率和提高检验关键层。沉默的数据错误是如此命名是因为如果工程师不找他们,他们不知道它们的存在。与其他类型的错误行为,这些错误也可以c…»阅读更多

辐射宽容不仅仅是火箭科学家
通过Synopsys对此11月23日,2022 -评论:0

随着技术的尺度,从粒子辐射越来越有关软错误攷虑的可靠性。这些辐射效应被称为单一事件令(SEU)和失败由于SEU的频率被称为软错误率(SER)。软错误失败是由于外部来源。相比之下,硬错误指实际过程制造缺陷或电工实习……»阅读更多

铸造是领先?视情况而定。
通过埃德·斯珀林- 10月26日,2022 -评论:2

铸造领导的数十亿美元的比赛变得更加复杂和复杂,很难确定哪些公司处于领先地位在任何时间,因为有很多因素需要考虑。这很大程度上反映客户群的变化的前沿,推动特定领域的设计。在过去,像苹果、谷歌这样的公司…»阅读更多

为什么沉默数据错误那么难找
通过安妮Meixner10月- 11,2022 -评论:0

云服务提供商有沉默的数据错误的来源追溯到缺陷在cpu -多达1000 ppm——只是偶尔产生错误的结果和在某些micro-architectural条件。这使得他们很难找到。沉默数据错误(sd)是随机缺陷在制造业,生产不是一个设计错误或软件错误。这些缺陷基因……»阅读更多

高价格的小功能
通过凯瑟琳德比郡9月- 15,2022 -评论:0

半导体行业的推动高数值孔径是由NA和临界尺寸之间的关系。NA上升,CD下降:λ是波长和k1系数是一个过程。而0.55 NA曝光系统将提高分辨率,拉里•梅尔文Synopsys对此公司首席工程师指出,较小的特征与过程总是因为……»阅读更多

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